发明名称 |
无分立像元光学读出的量子阱红外焦平面芯片 |
摘要 |
本发明提供了一种无分立象元光学读出的量子阱红外焦平面芯片的设计。它可以把在芯片上的红外图像直接转换成可见光图象,从而把红外探测技术转换到可见光探测技术,使对红外目标成像的芯片在空间分辨上达到可见光成像的水平。还介绍了该芯片的结构。包括量子阱材料具体结构设计、掺杂条件、芯片的电极设计、偏置电压条件及与可见光探测系统的相互结合。 |
申请公布号 |
CN1219788A |
申请公布日期 |
1999.06.16 |
申请号 |
CN98121959.4 |
申请日期 |
1998.10.22 |
申请人 |
中国科学院上海技术物理研究所 |
发明人 |
陆卫;陈效双;刘兴权;李宁;李娜;陈益栋;刘平;窦红飞;付英;W·马格纳斯 |
分类号 |
H01S3/00;G02B3/00;H01L29/765 |
主分类号 |
H01S3/00 |
代理机构 |
上海华东专利事务所 |
代理人 |
高毓秋 |
主权项 |
1.一种无分立象元光学读出的量子阱红外焦平面芯片,包括量子阱芯片、聚焦透镜和SiCCD器件,其特征在于:(a)所说的量子阱芯片(1)是利用外延手段生长出带有n型掺杂和p型掺杂的量子阱结构材料,其二个量子阱中的载流子均可由红外光激发到连续态并在外电场作用下导致电子与空穴相互靠拢,最后复合发光;在量子阱芯片(1)上形成上、下电极,靠近n型量子阱的电极上所加的偏压相对加在靠近p型量子阱电极的偏压是正的;(b)将高灵敏度的SiCCD器件(3)与透镜(2)及量子阱芯片(1)在组件上一体化,将量子阱芯片(1)置于低于80K的低温下工作,用SiCCD器件(3)记录量子阱芯片(1)将红外光图象转换成的可见光图象直接光学读出。 |
地址 |
200083上海市玉田路500号 |