发明名称 在金氧半导体影像阵列中修正错误尖峰信号的方法
摘要 本发明系有关于一种可消除存在于金属氧化半导体(MOS)影像阵列讯号中错误尖峰信号的方法,在一MOS影像阵列中,从规则图素中亦有可能出现错误尖峰信号,而本发明即是藉由检测影像阵列中每一图素之邻近图素而对错误尖峰信号进行修正,尤其系当一图素之强度系高于邻近图素强度具一预设临界值时,其错误尖峰信号将被确定,为修正该错误尖峰信号,该图素强度将必须被予以修正,例如,藉由邻近图素之平均强度来取代该图素之强度。
申请公布号 TW361036 申请公布日期 1999.06.11
申请号 TW086116865 申请日期 1997.11.11
申请人 欧尼维俊科技股份有限公司 发明人 陈大同
分类号 H04N17/00 主分类号 H04N17/00
代理机构 代理人 蔡坤财 台北巿松江路一四八号十二楼
主权项 1.一种可在金氧半导体影像阵列中修正错误尖峰信号的方法,其中该影像阵列包括有复数个依列及栏而排列成一矩阵态样之图素,而该方法包括有以下步骤:连续检测影像矩阵内每一图素之强度,而该被检测之图素将被视为一标的图素;确定至少两个相邻于该标的图素之图素强度;及如果当该标的图素之强度系高于该邻近图素之强度一预定临界値,则对该标的图素强度进行修正。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该修正步骤系利用邻近图素之平均强度来作为该标的图素重新计算之强度。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该修正步骤系利用一邻近图素之强度来作为该标的图素之强度。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该复数个邻近图素系与该标的图素为同一列。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该复数个邻近图素系与该标的图素为同一栏。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该复数个邻近图素系包括有两个与该标得图素相同栏位之邻近图素、及两个与该标得图素相同栏位之邻近图素。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该修正步骤系利用邻近图素之平均强度来作为该标的图素之重新计算强度。8.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该修正步骤系利用一邻近图素之强度来作为该标的图素之强度。图式简单说明:第一图系一互补式金氧半导体(CMOS)影像感应器之构造示意图;第二图系一框架缓冲器之构造示意图;第三图系本发明一较佳实施例之流程示意图;及第四图系本发明另一实施例之流程示意图。
地址 美国