| 主权项 |
1.一种适用于低电压金氧半超大型积电的含有1.5V提升电路之曼彻斯特进位链电路,其特征在于于一传统的曼彻斯特进位链电路内进一步设有一提升电路,该提升电路包含两个P型金氧半(PMOS)电晶体MPB及MP;一个N型金氧半(NMOS)电晶体MN;一个电容装置;及一个反相器,其中该NMOS电晶体MN的源极被接地;该反相器的输入端被提供一输入讯号Pi;该PMOS电晶体MP的汲极及该PMOS电晶体MPB的源极均连接于该电容装置的一第一板,并且该PMOS电晶体MP的源极连接于一电压Vdd,而该PMOS电晶体MPB的汲极连接于该NMOS电晶体MN的汲极;其中该NMOS电晶体MN及PMOS电晶体MPB的闸极连接于该输入讯号Pi;及该PMOS电晶体MP的闸极及该电容装置的一第二板均连接于该反相器的输出端;其中介于该PMOS电晶体MPB及NMOS电晶体MN中间的一节点提供一进位传递讯号Pi给该曼彻斯特进位链电路之一作为传输电晶体的N型金氧半电晶体MNP的闸极。2.如申请专利范围第1项的曼彻斯特进位链电路,其中该电容装置为一汲极和源极相连的P型金氧半电晶体MPC,并且此P型金氧半电晶体之相连的汲极和源极如同该电容装置的第一板而与该PMOS电晶体MP的汲极及该PMOS电晶体MPB的源极连接,以及此P型金氧半电晶体MPC的闸极如同该电容装置的第二板被连接于该反相器的输出端。图式简单说明:第一图所示为传统4位元曼彻斯特进位链电路之电路图。第二图A所示为本发明之1.5V提升式传输电晶体构成之4位元进位链电路的简化电路图。第二图B所示为第二图A中之1.5V提升式传输电晶体构成之进位链电路的基本单位电路的电路图。第三图A和第三图B所示为(A)根据本发明之1.5V提升式传输电晶体构成之4位元进位链电路的暂态波形图;及(B)传统不使用1.5V提升式传输电晶体构成之4位元进位链电路的暂态波形图。第四图所示为根据本发明之1.5V提升式传输电晶体构成之进位链电路的传递延迟时间对进位链电路的位元数之曲线图。第五图所示为根据本发明之1.5V提升式传输电晶体构成之进位链电路的传递延迟时间对操作电压之曲线图。 |
