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发明名称 Herstellungsverfahren für eine Halbleiterlaservorrichtung mit Mg-dotierten Deck- und Kontaktschichten
摘要
申请公布号 DE69509313(D1) 申请公布日期 1999.06.02
申请号 DE19956009313 申请日期 1995.07.11
申请人 SHARP K.K., OSAKA, JP 发明人 MORIMOTO, TAIJI, NARA-SHI, NARA-KEN, JP;SHIBATA, ZENKICHI, KITAKATSURAGI-GUN, NARA-KEN, JP;ISHIZUMI, TAKASHI, KITAKATSURAGI-GUN, NARA-KEN, JP;MIYAZAKI, KEISUKE, IKOMA-SHI, NARA-KEN, JP;HATA, TOSHIO, NARA-SHI, NARA-KEN, JP;OHITSU, YOSHINORI, YAMATOKOORIYAMA-SHI, NARA-KEN, JP
分类号 H01S5/00;H01L33/30;H01S5/042;H01S5/223;H01S5/30;H01S5/32;H01S5/323;(IPC1-7):H01S3/19;H01L33/00 主分类号 H01S5/00
代理机构 代理人
主权项
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