| 发明名称 |
HIGH DIELECTRIC CAPACITOR FABRICATION METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
KR100189982(B1) |
申请公布日期 |
1999.06.01 |
| 申请号 |
KR19950044902 |
申请日期 |
1995.11.29 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO, LTD. |
发明人 |
PARK, SUN-OH |
| 分类号 |
H01L27/04;H01L21/02;H01L21/822;H01L21/8242;H01L27/108;H01L29/92;(IPC1-7):H01L27/108 |
主分类号 |
H01L27/04 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
