发明名称 HIGH VOLTAGE TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
摘要
申请公布号 KR100189964(B1) 申请公布日期 1999.06.01
申请号 KR19940010668 申请日期 1994.05.16
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO, LTD. 发明人 KIM, JANG-RAE
分类号 H01L21/336;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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