| 发明名称 |
CIRCUIT OF NON-VOLATILE MEMORY CELL USING FERROELECTRIC GATE CAPACITOR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR100190068(B1) |
申请公布日期 |
1999.06.01 |
| 申请号 |
KR19960029878 |
申请日期 |
1996.07.23 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO, LTD. |
发明人 |
HWANG, CHUL-SUNG |
| 分类号 |
G11C11/22;(IPC1-7):G11C11/22 |
主分类号 |
G11C11/22 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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