| 发明名称 |
EDGE TERMINATION STRUCTURE FOR POWER MOSFET |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR100187763(B1) |
申请公布日期 |
1999.06.01 |
| 申请号 |
KR19960000332 |
申请日期 |
1996.01.10 |
| 申请人 |
SILICONIX INCORPORATED |
发明人 |
VILMAZ, HAMZA;HSHIEH, FWU-IUAN |
| 分类号 |
H01L21/76;H01L21/336;H01L27/08;H01L29/06;H01L29/40;H01L29/739;H01L29/78;(IPC1-7):H01L27/088 |
主分类号 |
H01L21/76 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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