| 主权项 |
1.一种生产半导体装置之清洁水溶液,包含:(A)含氟化合物;(B)水溶性或水可混合之有机溶剂;以及(C)无机酸及/或有机酸。2.如申请专利范围第1项生产半导体装置之清洁水溶液,另含有(D),由通式(I)所代表之季铵盐其中R1为具有1至4个碳原子之烷基,三个R1可为相同或不同,R2为具有1至4个碳原子之烷基或羟烷基,而Xa-为无机或有机阴离子,其中a为该阴离子之价数。3.如申请专利范围第1项生产半导体装置之清洁水溶液,另含有(D'),至少一种法自由通式(II)所代表之有机羧酸铵盐和有机羧酸胺盐之基Z[COONH4-n(R3)n]m----(II)其中Z为氢原子或单至四价烃基,具有1至18个碳原子,R3为具有1至4个碳原子之烷基或具有2至4个碳原子之羟烷基;n为0至3之整数,m为1至4之整数,如有多个R3,则可为相同或不同者。4.如申请专利范围第2项生产半导体装置之清洁水溶液,另含(E)表面活化剂。5.如申请专利范围第3项生产半导体装置之清洁水溶液,另含(E)表面活化剂。6.如申请专利范围第1.2.3.4或5项生产半导体装置之清洁水溶液,其中之无机酸为硼酸或磷酸。7.一种生产半导体装置之方法,包含各步骤为:形成预定之阻层式样于半导体基质上,其表面已设有一绝缘膜层者;利用该阻层式样作为光罩,以乾蚀刻形成盲孔;然后用氧电浆作灰化处理或用阻层剥除剂作湿处理而能有效除去该阻层式样;以及随用申请专利范围第1.2.3.4或5项所示清洁液作有效之清洁处理。8.如申请专利范围第7项生产半导体装置之方法,其中该清洁处理步骤有效清除形成并黏着于盲孔之内或周边之沉积聚合物。9.如申请专利范围第7项生产半导体装置之方法,其中该清洁处理步骤有效清除形成并黏着于盲孔之内或周边之沉积聚合物,该盲孔形成于包括SOG(Spin On Glass-在玻璃上旋转涂复)层之绝缘层中。10.一种生产半导体装置之方法,包含各步骤为:形成预定之阻层式样于半导体基质上,其表面已设有一金属导电膜层者;利用该阻层式样作为光罩,以乾蚀刻形成金属布线;然后用氧电浆作灰化处理或用阻层剥除剂作湿处理有效除去该阻层式样;以及随后用申请专利范围第1.2.3、4或5项所示之清洁液之清洁处理而奏效。11.如申请专利范围第10项生产半导体装置之方法,其中之金属导电膜层,为包括选自钨、钨合金、钛、钛合金、钛/钨合金、氮化钛、铝和铅合金一组中之至少一种。12.如申请专利范围第10项生产半导体装置之方法,其中该清洁处理是以有效清除形成并黏着于导电膜层边墙之沉积聚合物。13.如申请专利范围第7项生产半导体装置之方法,其中用氧电浆作灰化处理是以在氧气中加入氟气或氟化合物而奏效。14.如申请专利范围第10项生产半导体装置之方法,其中用氧电浆作灰化处理是以在氧气中加入氟气或氟化合物而奏效。图式简单说明:第一图A-第一图F为一说明图,表示实施例1生产半导体装置之程序。第二图A-第二图F为一说明图,表示实施例7生产半导体装置之程序。第三图A-第三图F为一说明图,表示实施例9生产半导体装置之程序。 |
