| 主权项 |
1.一种直流电机之低电枢反应X型对偶磁路结构(追加一)为藉由一体结构或组合构成并呈与磁场磁极数相同之X型磁路结构作相邻磁极联结,以构成两极或两极以上磁场磁通环路,在无碍磁场磁路结构条件下,直流电机电枢反应之交磁磁通回路呈高磁阻状态以降低电枢反应,其主要构成含:--由一体结构或组合构成并呈与磁场磁极数相同之X型磁路结构构成磁通环路之直流电机磁路结构,其各X型磁路结构之交叉部份为供设置不同极性之磁极结构,如永久磁极或绕组激磁式之磁极铁芯101及激磁绕组102,上述X型磁路结构各磁极间之磁路结构为基以平均或接近平均之磁场磁通密度之原则而决定其截面积,并呈沿极轴由中间向两端壳方向呈向外渐大面积之磁路结构,以及在磁极间形成向外渐缩透孔103或向内凹陷之盲孔103a或向外凹陷之盲孔103b或双向凹陷之盲孔103c,而构成X型磁路结构中供通过电枢反应交磁磁通之磁路呈高阻抗为特征者。2.如申请专利范围第1项所述直流电机之低电枢反应X型对偶磁路结构(追加一),其磁路结构之外侧可依需要轴向环设由导磁材料或非导磁材料所构成之护壳,并由护壳与具透孔之磁路间呈气流通路以利冷却气流之流通者,上述护壳可为由导磁性或非导磁性环状护壳100或弧形或片状结构护壳120与磁路结构所组合者,弧形或片状结构护壳120为径向个别环设于透孔并依需要或安排其通气口结构位置,当上述环状护壳或个别环设于透孔之弧形或片状结构护壳,若由导磁性材料构成时则可构成磁极间磁路之一部份,以及进一步在设有换向磁极时构成换向磁极之磁路者。3.如申请专利范围第1项所述直流电机之低电枢反应X型对偶磁路结构(追加一),其各磁极极轴方向近端壳部份可依需要制成向外扩大之缺口104或向内或向外或双向凹陷之盲孔以减轻重量及利于散热,而磁极到磁极间之磁路及经由两端之磁路各段截面积上之磁通密度仍保有分配平均或接近平均为特征,或在上述缺口置入良导热体,上述结构中各缺口可为开放式或半闭式或藉良导热体以导出积热者。4.如申请专利范围第1项所述直流电机之低电枢反应X型对偶磁路结构(追加一),其构成磁场之磁极与X型磁路结构可为一体结构制成或分件组合构成,而磁路结构本身亦可为一体结构制成或呈分件组合之结构者。5.如申请专利范围第1项所述直流电机之低电枢反应X型对偶磁路结构(追加一),其设于磁场磁极间与电枢反应交磁磁通极轴供抑制电枢反应交磁磁通之镂空磁路,亦可改为设置一组或一组以上与磁场极轴平行呈透孔105或向内105a或向外105b或双向凹陷盲孔105c(未透孔)之纵向沟槽,以加大交磁磁通磁阻而抑制电枢反应之交磁强度者。6.如申请专利范围第4项所述直流电机之低电枢反应X型对偶磁路结构(追加一),可进一步将其位于两相邻磁极中间电机角位置呈透孔105或内凹105a或外凹105b或双向凹陷盲孔105c纵向沟槽之磁路,视电机特性需要加设换向磁极106,而仍保留沟槽以协助抑制电枢反应之交磁磁通者。7.如申请专利范围第1项所述直流电机之低电枢反应X型对偶磁路结构(追加一),其设于磁场磁极间与电枢反应交磁磁通极轴供抑制电枢反应交磁磁通之镂空磁路,亦可改为设置一道或一道以上呈透孔107或向内107a或向外107b或双向凹陷107c之盲孔(未透孔)并与磁场极轴呈斜向之沟槽,以加大交磁磁通磁阻而抑制电磁反应之交磁强度者。8.如申请专利范围第6项所述直流电机之低电枢反应X型对偶磁路结构(追加一),可进一步将其位于两相邻磁极中间电机角位置呈透孔107或内凹107a或外凹107b或双向凹陷盲孔107c斜向沟槽之磁路,视电机特性需要加设换向磁极106,而仍保留沟槽以协助抑制电枢反应之纵向交磁磁通者。9.如申请专利范围第1项所述直流电机之低电枢反应X型对偶磁路结构(追加一),其设于磁场磁极间与电枢反应交磁磁通极轴供抑制电枢反应交磁磁通之镂空磁路,亦可改为设置一组或一组以上呈透孔108或向内108a或向外108b或双向凹陷108c之盲孔(未透孔)并与磁场极轴垂直之横向沟槽,以加大交磁磁通磁阻而抑制电枢反应之交磁强度者。10.如申请专利范围第8项所述直流电机之低电枢反应X型对偶磁路结构(追加一),可进一步将其位于两相邻磁极中间电机角位置呈透孔108或内凹108a或外凹108b或双向凹陷盲孔108c横向沟槽之磁路,视电机特性需要加设换向磁极106,而仍保留沟槽以协助抑制电枢反应之纵向交磁磁通者。11.如申请专利范围第1项所述直流电机之低电枢反应X型对偶磁路结构(追加一),其设于磁场磁极间与电枢反应交磁磁通极轴供抑制电枢反应交磁磁通之镂空磁路亦可改为设置两个或两个以上呈透孔109或向内109a或向外109b或双向凹陷109c盲孔(未透孔)之孔洞状结构,以加大交磁磁通磁阻而抑制电磁反应之交磁强度者。12.如申请专利范围第10项所述直流电机之低电枢反应X型对偶磁路结构(追加一),可进一步将其位于两相邻磁极中间电机角位置呈透孔109或内凹109a或外凹109b或双向凹陷盲孔109c孔洞状结构之磁路,视电机特性需要加设换向磁极106,以协助抑制电枢之交磁磁通者。13.如申请专利范围第1项所述直流电机之低电枢反应X型对偶磁路结构(追加一),亦可将X型磁路制成两件或两件以上分离结构,而结合具导磁性端壳110并于磁极间设置辅助分流磁路结构共同构成磁场磁路,其结合方式含:在两相邻磁极间呈镂空或呈盲孔之磁路结构迎向转子侧之相邻异性磁极间,依电机性能选定电机角差之位置设置换向磁极106,并在换向磁极与磁极之间环设一路或一路以上辅助分流磁路111,磁场主磁通为由磁极经导磁性端壳110到相对磁极再经转子构成一封闭磁路,而换向磁极106之磁通则经由辅助分流磁路111及导磁性端壳110及相对磁极而构成封闭磁路者。14.如申请专利范围第1项所述直流电机之低电枢反应X型对偶磁路结构(追加一),亦可将X型磁路制成两件或两件以上分离结构,而结合具导磁性端壳110并于磁极间设置辅助分流磁路结构共同构成磁场磁路,其结合方式含:在两相邻磁极间呈镂空或呈盲孔之磁路结构迎向转子侧之相邻异性磁极间,依电机性能选定电机角差之位置设置换向磁极106,及在换向磁极与磁场磁路间设置与转子轴向平行跨设之一路或一路以上辅助分流磁路112,磁场主磁通为由磁极经导磁性端壳110到相对磁极再经转子构成一封闭磁路,而换向磁极106之磁通则经由辅助分流磁路112及导磁性端壳110及相对磁极而构成封闭磁路者。15.如申请专利范围第1项所述直流电机之低电枢反应X型对偶磁路结构(追加一),亦可将X型磁路制成两件或两件以上分离结构,而结合具导磁性端壳110并于磁极间设置辅助分流磁路结构共同构成磁场磁路,其结合方式含:在两相邻磁极间呈镂空或呈盲孔之磁路结构迎向转子侧之相邻异性磁极间,依电机性能选定电机角差之位置设置换向磁极106,并呈同斜向或不同斜向设置一路或一路以上辅助分流磁路113在换向磁极与磁场磁路之间,磁场主磁通为由磁极经导磁性端壳110到相对磁极再经转子构成一封闭磁路,而换向磁极106之磁通则经由辅助分流磁路113及导磁性端壳110及相对磁极而构成封闭磁路者。16.如申请专利范围第1项所述直流电机之低电枢反应X型对偶磁路结构(追加一),亦可结合具导磁性端壳110并于磁极间设置辅助分流磁路结构共同构成磁场磁路,其结合方式含:在两相邻磁极间呈镂空或呈盲孔之磁路结构迎向转子侧之相邻异性磁极间,依电机性能选定电机角差之位置设置换向磁极106,并在换向磁极与磁极之间环设一路或一路以上辅助分流磁路114,磁场主磁通为经由磁极,而部份经由磁极间连接磁路,以及部份经由导磁性端壳110再合流至相对磁极构成封闭磁路,而换向磁极106之磁通则经由辅助分流磁路114及导磁性端壳110及相对磁极而构成封闭磁路者。17.如申请专利范围第1项所述直流电机之低电枢反应X型对偶磁路结构(追加一),亦可结合具导磁性端壳110并于磁极间设置辅助分流磁路结构共同构成磁场磁路,其结合方式含:为在两相邻磁极间呈镂空或呈盲孔之磁路结构迎向转子侧之相邻异性磁极间,依电机性能选定电机角差之位置设置换向磁极106,及在换向磁极与磁场磁路间设置与转子轴向平行跨设之一路或一路以上辅助分流磁路115,磁场主磁通为经由磁极,而部份经由磁极间连接磁路,以及部份经由导磁性端壳110再合流至相对磁极构成封闭磁路,而换向磁极106之磁通则经由辅助分流磁路115及导磁性端壳110及相对磁极而构成封闭磁路者。18.如申请专利范围第1项所述直流电机之低电枢反应X型对偶磁路结构(追加一),亦可结合具导磁性端壳110并于磁极间设置辅助分流磁路结构共同构成磁场磁路,其结合方式含:在两相邻磁极间呈镂空或呈盲孔之磁路结构迎向转子侧之相邻异性磁极间,依电机性能选定电机角差之位置设置换向磁极106,并斜向或不同斜向设置一路或一路以上辅助分流磁路116在换向磁极与磁场磁路之间,磁场主磁通为经由磁极,而部份经由磁极间连接磁路,以及部份经由导磁性端壳110再合流至相对磁极构成封闭磁路,而换向磁极106之磁通则经由辅助分流磁路116及导磁性端壳110及相对磁极而构成封闭磁路者。19.如申请专利范围第1项所述直流电机之低电枢反应X型对偶磁路结构(追加一),其磁性端壳磁路构成此项直流电机之低电枢反应X型对偶磁路结构(追加一)含:在两相邻磁极间呈镂空或呈盲孔之磁路结构迎向转子侧之相邻异性磁极间,依电机性能选定电机角差之位置设置换向磁极106及设置呈封闭之环形磁路117,此项环形磁路之导磁容量为小于主磁极之磁通而磁场主磁通为经由磁极,而部份经由磁极间连接磁路,以及部份经由导磁性端壳110再合流至相对磁极构成封闭磁路,而换向磁极106之磁通则经由封闭之环形磁路117及导磁性端壳110及相对磁极而构成封闭磁路者。20.如申请专利范围第13,14,15,16,17,18或19项所述直流电机之低电枢反应X型对偶磁路结构(追加一),其导磁性端壳为避免磁通经转轴分流,可在导磁性端壳110与转子121之转轴122间设置非导磁材料之隔离环123或由非导磁材料制成电机转轴122者。21.如申请专利范围第1项所述直流电机之低电枢反应X型对偶磁路结构(追加一),其电机结构可实际应用于串激或分激或复磁之直流有刷马达或发电机,或磁场由永久磁铁所构成而设有绕组激磁式换向磁极之直流无刷或有刷马达或发电机者,换向磁极之换向绕组为供与电枢串联,其与磁场极性关系依运转方向及作为马达或发电机功能而定,而其机械结构型态亦进一步包括以相同原理之电机特性而构成两极或两极以上之外转式或内转式或双动型之圆筒状或锥状或盘状或线型电机为应用范围者,基于上述运作原理,电机磁路结构可依需要由一体结构或分件组合结构所构成或由导磁材料薄片叠积而成,或仅选择磁极部份由导磁材料叠积而成,而其余磁路为块状结构者。22.如申请专利范围第1项所述直流电机之低电枢反应X型对偶磁路结构(追加一),其磁场磁路为由磁极中间向两端壳方向以导磁薄片作轴向叠积所构成,各导磁薄片之磁路轴向导磁面积呈径向扩大,其结构特征如下:--沿轴向向端壳延伸之不同外径之磁场磁路201,为藉由磁极中间沿轴向向两侧轴向叠积不同外径之导磁薄片而构成阶级状外径之磁场磁路,其轴向导磁截面积藉各层叠积导磁薄片外径之增大而向两端呈渐增扩大,以使各段磁路之磁通密度趋向平均者。23.如申请专利范围第1项所述直流电机之低电枢反应X型对偶磁路结构(追加一),其磁场磁路由相同外径而不同磁路宽之导磁薄片叠积构成沿轴向向两端壳方向呈渐宽型磁场磁路所构成,其特征如下:--渐宽型磁场磁路202:为沿轴向向端壳延伸之同外径不同磁路宽呈渐增截面积之磁场磁路,系由导磁薄片所构成,薄片之外径相同,唯其磁场磁路由不同磁路宽之导磁薄片由磁极中间沿轴向向两侧叠积,而愈往端壳204方向之导磁薄片磁路为愈宽,以使磁场磁路之磁通密度趋向平均者。24.如申请专利范围第22或23项所述直流电机之低电枢反应X型对偶磁路结构(追加一),其磁场磁路中亦可由其混合结构所构成,即藉由不同外径及不同磁路宽之导磁薄片所构成,而导磁截面积由磁极中间沿轴向向两端壳方向呈渐增,以利于磁场磁路之磁通密度趋向平均者,其磁场磁路轴向两端可选择性匹配相对之磁路结构,其匹配方式含:--中继磁路203:为供与磁场磁路两侧耦合,以使磁极间之磁通由磁场磁路、中继磁路、转子而构成封闭磁通以作电机效应运转者,中继磁路为由导磁薄片所构成,以轴向视之,具有呈封闭圈状相对相邻磁极中间位置之中间磁路,以供耦合磁场磁路相邻磁极间之磁通,中继磁路亦可由块状导磁材料所构成者;--端壳204:端壳为供与转子121及磁场磁路结构(或含两者之间串设中继磁路)结合成一机械结构体,以提供电机组运转之机械性安定基础,端壳可为导磁体或非导磁体所构成,当由导磁体构成时其与转轴122间需设置非导磁性隔离环123,以在转轴为导磁体时避免经转轴形成磁通环流,若转轴为非导磁体则可省略非导磁环;端壳之端面若由非导磁性材料所构成则中断磁路203为必需,若端壳由导磁材料所构成则中继磁路可依需要选择设置或不设置,若不设置中继磁路则由端壳形成磁路之一段,导磁性端壳之结构可由块状材料或由导磁薄片所构成者;--护壳:电机组其磁极中间与相邻磁极间呈开放式结构,故可藉由同轴设置环状护壳或结合个别之弧形或片状护壳,护壳可由非导磁材料所制成以使电机组呈封闭之密闭型,亦可为具有开放流路以供与中继磁路或端壳之流路口(或缺口)相配合以构成具有轴向冷却流路之半密式结构;若护壳由导磁材料所构成,除可构成上述功能外,亦可构成分流磁路以及依需要进一步供加设换向磁极或直接构成换向磁极者。25.如申请专利范围第1项所述直流电机之低电枢反应X型对偶磁路结构(追加一),其磁场磁路为由磁极中间向两端壳方向以导磁薄片作轴向叠积所构成,各导磁薄片之磁路轴向导磁面积呈径向扩大,各磁极间并具有环设于磁极间之分流磁路,其结构特征如下:--沿轴向向端壳延伸之不同外径之磁场磁路301,为藉由磁极中间沿轴向向两侧轴向叠积不同外径之导磁薄片而构成阶级状外径之磁场磁路,其轴向导磁截面积藉各层叠积导磁薄片外径之增大而向两端呈渐增扩大,以使各段磁路之磁通密度趋向平均者;各导磁薄片同时具有环设于两相邻磁极间之分流磁路305,并供匹配其两端之中继磁路303上之流路孔306,使电机组径向呈封闭而轴向具有冷却流路孔为其特征。26.如申请专利范围第1项所述直流电机之低电枢反应X型对偶磁路结构(追加一),其磁场磁路由相同外径而不同磁路宽之导磁薄片叠积构成沿轴向向两端壳方向呈渐宽型磁场磁路并在相邻磁极间环设分流磁路所构成,其特征如下:--渐宽型磁场磁路302:为沿轴向向端壳延伸之同外径不同磁路宽呈渐增截面积之磁场磁路,系由导磁薄片所构成,薄片之外径相同,唯其磁场磁路由不同磁路宽之导磁薄片由磁极中间沿轴向向两侧叠积,而愈往端壳304方向之导磁薄片磁路为愈宽,以使磁场磁路之磁通密度趋向平均者;各导磁薄片具有环于两相邻磁极间之分流磁路305,并供匹配其两端中继磁路303上之流路孔306,使电机组径向呈封闭而轴向具有冷却流路孔为其特征者。27.如申请专利范围第25或26项所述直流电机之低电枢反应X型对偶磁路结构(追加一),其磁场磁路中亦可由其混合结构所构成,即藉由不同外径及不同磁路宽之导磁薄片所构成,而导磁截面积由磁极中间沿轴向向两端壳方向呈渐增,以利于磁场磁路之磁通密度趋向平均者,其磁场磁路轴向两端可选择性匹配相对之磁路结构,其匹配方式含:--中继磁路303:为供与磁场磁路两侧耦合,以使磁极间之磁通由磁场磁路、中继磁路、转子而构成封闭磁通以作电机效应运转者,中继磁路为由导磁薄片所构成,以轴向视之,具有呈封闭圈状相对相邻磁极中间位置之中间磁路,以供耦合磁场磁路相邻磁极间之磁通,中继磁路亦可由块状导磁材料所构成者;中继磁路相对磁极中间位置之中间磁路具有流路孔306(或缺口),以和磁场磁路之流路空间307共同结合,而使电机组径向呈封闭而轴向具有冷却流路孔为其特征;--端壳304:端壳为供与转子121及磁场磁路结构(或含两者之间串设中继磁路)结合成一机械结构体,以提供电机组运转之机械性安定基础,端壳可为导磁体或非导磁体所构成,当由导磁体构成时其与转轴122间需设置非导磁性隔离环123,以在转轴为导磁体时避免经转轴形成磁通环流,若转轴为非导磁体则可省略非导磁环;端壳之端面若由非导磁材料所构成则中继磁路303为必需,若端壳由导磁材料所构成则中继磁路可依需要选择设置或不设置,若不设置中继磁路则由端壳形成磁路之一段,导磁性端壳之结构可由块状材料或由导磁薄片所构成者。28.如申请专利范围第1项所述直流电机之低电枢反应X型对偶磁路结构(追加一),含由相同尺寸导磁薄片叠积构成之磁场磁路,其特征如下:--由同尺寸导磁薄片作轴向叠积而成磁场磁路208;--中继磁路203:为供与磁场磁路两侧耦合,以使磁极间之磁通由磁场磁路、中继磁路、转子而构成封闭磁通以作电机效应运转者,中继磁路为由导磁薄片所构成,以轴向视之,具有呈封闭圈状相对相邻磁极中间位置之中间磁路,以供耦合磁场磁路相邻磁极间之磁通,中继磁路亦可由块状导磁材料所构成者;--端壳204:端壳为供与转子及磁场磁路结构(或含两者之间串设中继磁路)结合成一机械结构体,以提供电机组运转之机械性安定基础,端壳可为导磁体或非导磁体所构成,当由导磁体构成时,其与转轴间需设置非导磁性隔离环,以在转轴为导磁体时避免经转轴形成磁通环流,若转轴为非导磁体则可省略非导磁环;端壳之端面若由非导磁材料所构成则中继磁路为必需,若端壳由导磁材料所构成则中继磁路可依需要选择设置或不设置,若不设置中继磁路则由端壳形成磁路之一段,导磁性端壳之结构可由块状材料或由导磁薄片所构成者;--护壳:由于前述之电机组其磁极中间与相邻磁极间呈开放式结构,即可藉由同轴设置环状护壳或结合个别之弧形或片状护壳,护壳可由非导磁材料所制成以使电机组呈封闭之密闭型,亦可为具有开放流路以供与中继磁路或端壳之流路口(或缺口)相配合以构成具有轴向冷却流路之半密式结构;若护壳由导磁材料所构成,除可构成上述功能外,亦可构成分流磁路以及依需要进一步供加设换向磁极或直接构成换向磁极者。29.如申请专利范围第1项所述直流电机之低电枢反应X型对偶磁路结构(追加一),含由相同尺寸导磁薄片叠积构成磁场磁路并在相邻磁极间环设分流磁路所构成,其特征如下:--相同尺寸导磁薄片作轴向叠积而成磁场磁路308,各导磁薄片具有环于两相邻磁极间之分流磁路305,并供匹配其两端中断磁路303上之流路孔306,使电机组径向呈封闭而轴向具有冷却流路孔为其特征者。30.如申请专利范围第28或29项所述直流电机之低电枢反应X型对偶磁路结构(追加一),其磁场磁路中亦可由其混合结构所构成,即藉由不同外径及不同磁路宽之导磁薄片所构成,而导磁截面积由磁极中间沿轴向向两端壳方向呈渐增,以利于磁场磁路之磁通密度趋向平均者,其磁场磁路轴向两端可选择性匹配相对之磁路结构,其匹配方式含:--中继磁路:为供与磁场磁路两侧耦合,以使磁极间之磁通由磁场磁路、中继磁路、转子而构成封闭磁通以作电机效应运转者,中继磁路为由导磁薄片所构成,以轴向视之,具有呈封闭圈状相对相邻磁极中间位置之中间磁路,以供耦合磁场磁路相邻磁极间之磁通,中继磁路亦可由块状导磁材料所构成者;申请专利范围第29项所述之中继磁路303,其相对磁极中间位置之中间磁路具有流路孔306(或缺口)以和磁场磁路之流路空间307共同结合,而使电机组径向呈封闭而轴向具有冷却流路孔为其特征。31.如申请专利范围第22,23,25,26,28或29项所述直流电机之低电枢反应X型对偶磁路结构(追加一),若其耦合于磁极间缺口所设置之环状护壳或个别设置之弧形或片状护壳结构为导磁材料所构成,则可依换向需求而设置换向磁极;若其磁场磁路为近似封闭环型之导磁薄片所构成,则可直接将薄片制成具有换向磁极或另行加设者。32.如申请专利范围第22,23,25,26,28或29项所述直流电机之低电枢反应X型对偶磁路结构(追加一),其由导磁薄片所叠积之磁场磁路及中继磁路中,可藉着将磁场结构邻近两侧之一部份导磁薄片之磁极部份去除,以缩短磁极轴向长度,或中继磁路邻近磁场磁路之一部份导磁薄片加设磁极部份,以增加磁极轴向长度作为调节者。33.如申请专利范围第1项所述直流电机之低电枢反应X型对偶磁路结构(追加一),其渐增导磁截面积之磁路结构可由沿轴向向两端壳方向渐增,改为由其中一侧向另一侧呈向单侧渐增,其结构原则为使磁场磁路中之各位置段磁通密度趋向平均者。34.如申请专利范围第1,2,3,4,5,7,9,11,13,14,15,16,17,18,19,21,22,23,25,26,28,29或33项所述直流电机之低电枢反应X型对偶磁路结构(追加一),转子与磁极间之磁路结构为呈轴向双向延伸而耦合于磁极及转子之结构形态,转子与磁极极面之轴向气隙可因制造考量,除可采用轴向间呈等气隙外,可进一步呈愈趋近端壳方向之气隙渐呈增大为特征者,其轴向气隙渐呈增减方式含由转子直径之增减或磁场极面直径之增减或两者同时增减,而使磁极极面与转子间之气隙沿轴向向两端壳方向渐呈增大之间隙关系,以使磁极极面之磁通分布趋向较平均之倾向为特征者。35.如申请专利范围第1,2,3,4,5,7,9,11,13,14,15,16,17,18,19,21,22,23,25,26,28,29或33项所述直流电机之低电枢反应X型对偶磁路结构(追加一),其应用含串激或分激或复磁之直流有刷马达或发电机,或磁场由永久磁铁所构成而设有绕组激磁式换向磁极之直流无刷或有刷马达或发电机者,换向磁极之换向绕组为供与电枢串联,其与磁场极性关系依运转方向及作为马达或发电机功能而定,而其机械结构型态亦进一步包括以相同原理之电机特性而构成两极或两极以上之外转式或内转式或双动型之圆筒状或锥状或盘状回转式电机结构或线型驱动之电机结构为应用范围者。图式简单说明:第一图为本发明之电机磁路结构呈向外渐缩透孔实施例立体示意图。第二图为第一图之俯视剖面图。第三图为本发明之各透孔分别在外侧径向环设片状结构护壳实施例立体示意图。第四图为第一图之电机磁路结构呈向内凹陷盲孔之实施例。第五图为第一图之电机磁路结构呈向外凹陷盲孔之实施例。第六图为第一图之电机磁路结构呈双向凹陷盲孔之实施例。第七图为本发明藉磁场磁极间设置呈透孔之纵向沟槽以抑制电枢反应交磁磁通实施例俯视图。第八图为第七图之前视剖面示意图。第九图为第七图磁极间磁路结构呈向内凹陷盲孔之前视剖面示意图。第十图为第七图磁极间磁路结构呈向外凹陷盲孔之前视剖面示意图。第十一图为第七图磁极间磁路结构呈双向凹陷盲孔之前视剖面示意图。第十二图为本发明磁极间之磁路加设呈透孔纵向沟槽及换向磁极实施例俯视图。第十三图为第十二图之前视剖面示意图。第十四图为第十二图磁极间磁路结构呈向内凹陷盲孔之前视剖面示意图。第十五图为第十二图磁极间磁路结构呈向外凹陷盲孔之前视剖面示意图。第十六图为第十二图磁极间磁路结构呈双向凹陷盲孔之前视剖面示意图。第十七图为本发明藉磁场磁极间设置呈透孔之斜向沟槽以抑制电枢反应交磁磁通实施例俯视图。第十八图为第十七图之前视图。第十九图为第十七图磁极间磁路结构呈向内凹陷盲孔之前视示意图。第二十图为第十七图磁极间磁路结构呈向外凹陷盲孔之前视示意图。第二十一图为第十七图磁极间磁路结构呈双向凹陷盲孔之前视示意图。第二十二图为本发明磁极间之磁路加设呈透孔斜向沟槽及换向磁极实施例俯视图。第二十三图为第二十二图之前视图。第二十四图为第二十二图磁极间磁路结构呈向内凹陷盲孔之前视示意图。第二十五图为第二十二图磁极间磁路结构呈向外凹陷盲孔之前视示意图。第二十六图为第二十二图磁极间磁路结构呈双向凹陷盲孔之前视示意图。第二十七图为本发明藉磁场磁极间设置呈透孔之横向沟槽以抑制电枢反应交磁磁通实施例俯视图。第二十八图为第二十七图之前视图。第二十九图为第二十七图磁极间磁路结构呈向内凹陷盲孔之前视示意图。第三十图为第二十七图磁极间磁路结构呈向外凹陷盲孔之前视示意图。第三十一图为第二十七图磁极间磁路结构呈双向凹陷盲孔之前视示意图。第三十二图为本发明磁极间之磁路加设呈透孔横向沟槽及换向磁极实施例俯视图。第三十三图为第三十二图之前视图。第三十四图为第三十二图磁极间磁路结构呈向内凹陷盲孔之前视示意图。第三十五图为第三十二图磁极间磁路结构呈向外凹陷盲孔之前视示意图。第三十六图为第三十二图磁极间磁路结构呈双向凹陷盲孔之前视示意图。第三十七图为本发明藉磁场磁极间设置呈透孔之孔洞状结构以抑制电枢反应交磁磁通实施例俯视图。第三十八图为第三十七图之前视图。第三十九图为第三十七图磁极间磁路结构呈向内凹陷盲孔之前视示意图。第四十图为第三十七图磁极间磁路结构呈向外凹陷盲孔之前视示意图。第四十一图为第三十七图磁极间磁路结构呈双向凹陷盲孔之前视示意图。第四十二图为本发明磁极间之磁路加设呈透孔孔洞状结构及换向磁极实施例俯视图。第四十三图为第四十二图之前视图。第四十四图为第四十二图磁极间磁路结构呈向内凹陷盲孔之前视示意图。第四十五图为第四十二图磁极间磁路结构呈向外凹陷盲孔之前视示意图。第四十六图为第四十二图磁极间磁路结构呈双向凹陷盲孔之前视示意图。第四十七图为设有导磁性端壳磁路构成本发明之磁极间辅助分流磁路实施例之一之俯视图。第四十八图为第四十七图之前视剖面示意图。第四十九图为设有导磁性端壳磁路构成本发明磁极间辅助分流磁路实施例之二之俯视图。第五十图为第四十九图之前视剖面示意图。第五十一图为设有导磁性端壳磁路构成本发明磁极间辅助分流磁路实施例之三之俯视图。第五十二图为第五十一图之前视剖面示意图。第五十三图所示为设有导磁性端壳磁路构成本发明磁极间辅助分流磁路实施例之四之俯视图。第五十四图为第五十三图之前视剖面示意图。第五十五图为设有导磁性端壳磁路构成本发明磁极间辅助分流磁路实施例之五之俯视图。第五十六图为第五十五图之前视剖面示意图。第五十七图为设有导磁性端壳磁路构成本发明磁极间辅助分流磁路实施例之六之俯视图。第五十八图为第五十七图之前视剖面示意图。第五十九图为设有导磁性端壳磁路结合本发明之磁极间环设封闭磁路实施例之俯视图。第六十图为第五十九图之前视剖面示意图。第六十一图为本发明具呈轴向双向延伸渐呈增大气隙实施例之一。第六十二图为本发明具呈轴向双向延伸渐呈增大气隙实施例之二。第六十三图为本发明之线型磁场磁路结构例示意图。第六十四图为本发明之磁场磁路由不同外径之导磁薄片轴向叠积实施例之俯视剖面图。第六十五图为第六十四图之A-A断面图。第六十六图为第六十四图之端壳前视图。第六十七图为第六十四图之中继磁路前视图。第六十八图所示为本发明由相同外径不同磁路宽之导磁薄片叠积呈渐宽型磁场磁路所构成之实施例。第六十九图所示为本发明之磁场磁路由不同外径之导磁薄片轴向叠积其磁极间并具有分流磁路实施例之俯视剖面图。第七十图为第六十九图之B-B断面图。第七十一图为第六十九图之端壳前视图。第七十二图为第六十九图之中断磁路前视图。第七十三图所示为本发明由相同外径不同磁路宽之导磁薄片叠积呈渐宽型磁场磁路并在磁极间环设分流磁路所构成之实施例。第七十四图所示为本发明由相同尺寸导磁薄片叠积构成磁场磁路之实施例。第七十五图所示为本发明由相同尺寸导磁薄片叠积构成磁场磁路并在磁极间环设分流磁路所构成之实施例。 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