| 摘要 |
<p>Bei einem passiven Hochfrequenz-Element mit einem Halbleitersubstrat (14), einem auf dem Halbleitersubstrat (14) angeordneten Isolator (12), durch den Zwischenschichtladungen in einem Grenzschichtbereich zwischen dem Halbleitersubstrat (14) und dem Isolator (12) erzeugt werden, und einem auf dem Isolator (12) angeordneten Leiter (10) wird durch Anlegen einer Gleichspannung (U) zwischen dem Leiter (10) und dem Halbleitersubstrat (14) und/oder durch einen schwach dotierten Bereich unter dem Isolator (12) eine Verarmung der Zwischenschichtladungen erreicht, wodurch die Dichte beweglicher Ladungsträger in dem Bereich an dem Übergang vom Isolator (12) zum Halbleiter (14) wesentlich erniedrigt wird. Für erfindungsgemäße passive Hochfrequenz-Elemente existiert ein Fenster niedriger Dämpfung, das zum einen durch eine geringe Verarmung der Zwischenschichtladungen und zum anderen durch eine geringe Anreicherung von Ladungen mit zu den Zwischenschichtladungen entgegengesetzter Polarität an dem Grenzschichtbereich begrenzt ist.</p> |
