| 主权项 |
1.一种基板之光阻剂处理方法,系为在持有所被空调的处理区域及非处理区域的光阻剂处理系统内光阻剂处理基板的基本之方法;其特征为:具备:(a)从外部将基板运入至前述非处理区域内之过程,及(b)将光阻剂涂敷在基板之过程,及(c)曝光处理涂敷光阻剂之过程,及(d)显像处理所被曝光的涂敷光阻剂之过程,及(e)在上述过程(a)至过程(d)之间至少1次热处理涂敷光阻剂之过程,及(f)在上述过程(a)至过程(d)之间至少1次检出在于前述光阻剂处理系统内的处理器气相中造成光阻剂解像不良的原因之硷性成分的浓度之过程,及(g)设定产生光阻剂解像不良的前述光阻剂处理系统内处理气相中硷性成分浓度的临界値之过程,及(h)根据前述过程(f)的检出値与前述过程(g)的临界値控制上述处理过程(a)-(e)当中至少1个的处理气相之过程等。2.如申请专利范围第1项的基板之光阻剂处理方法,其中在上述过程(h),过程(f)的检出値高于过程(g)的临界値时,回馈控制上述处理过程(a)-(e)当中至少一个的处理气相,而使过程(f)的检出値低于过程(g)的临界値。3.如申请专利范围第1项的基板之光阻剂处理方法,其中在上述过程(h),过程(f)的检出値高于过程(g)的临界値时,显示该检出値或是发出警报的同时,使其停止存在于光阻剂处理系统的处理区域及非处理区域之全部的基板之处理动作,进而,更换用以除去被含在供给至前述处理区域内的空调空气的硷性成分之化学式过滤器,在化学式过滤器更换后,重新开始在处理区域及非处理区域其基板的处理。4.如申请专利范围第1项的基板之光阻剂处理方法,其中在上述过程(h),过程(f)的检出値高于过程(g)的临界値时,显示该检出値或是发出警报的同时,使其停止存在于光阻剂处理系统的处理区域之全部的基板之处理动作,进而,更换用以除去被含在供给至前述处理区域内的空调空气的硷性成分之化学式过滤器,在化学式过滤器更换后,重新开始在处理区域其基板的处理。5.如申请专利范围第1项的基板之光阻剂处理方法,其中在上述过程(h),过程(f)的检出値高于过程(g)的临界値时,显示该检出値或是发出警报的同时,持续进行存在于光阻剂处理系统的处理区域及非处理区域之全部的基板之处理,在使其完成前述全部基板的处理后,使其停止光阻剂处理系统的处理区域及非处理区域之处理动作,进而,更换用以除去被含在供给至前述处理区域内的空调空气的硷性成分之化学式过滤器,在化学式过滤器更换后,重新开始在处理区域及非处理区域其基板的处理。6.如申请专利范围第1项的基板之光阻剂处理方法,其中用复数个光阻剂处理系统而同时并列处理多数个基板的情况在上述过程(f),分别检出各光阻剂处理系统之处理气相中的硷性分浓度,在上述过程,分别显示从各检出値所得到的各光阻剂处理系统之处理气相的硷性浓度资讯,或是在各检出値当中至少1个高于前述临界値时发出警报。7.如申请专利范围第1项的基板之光阻剂处理方法,其中进而在上述过程(g),设定在上述过程其检出値的不均衡之容许値,在上述过程(f),所相异处所的处理气相中硷性成分浓度的检出値之差分高于前述过程(g)的容许値时,再度检出这些处理气相中的硷性成分浓度。8.如申请专利范围第1项的基板之光阻剂处理方法,其中在上述过程(g),于相同光阻剂处理系统内,处理区域之硷性成分浓度的临界値与非处理区域之硷性成分浓度的临界値,使其相异。9.如申请专利范围第1项的基板之光阻剂处理方法,其中上述过程(f),为了得到处理气相中硷性成分浓度的检出値之积算资讯,因而在上述光阻剂涂敷过程(a)至显像处理过程(d)之间复数次检出处理气相中硷性成分的浓度。10.如申请专利范围第1项的基板之光阻剂处理方法,其中在上述过程(g),将被含在导入至处理区域的空调空气中硷性成分的浓度之临界値设定在未满1ppb。11.如申请专利范围第1项的基板之光阻剂处理方法,其中进而在于上述光阻剂涂敷过程(b)之前,具备附着性处理基板的表面。12.一种基板之光阻剂处理方法,系为在持有所被空调的处理区域及非处理区域的光阻剂处理系统内光阻剂处理基板的方法;其特征为具备:(A)从外部将基板运入至前述非处理区域内之过程,及(B)在前述处理区域内将光阻剂涂敷在基板之过程,及(C)在前述处理区域内曝光处理涂敷光阻剂之过程,及(D)在前述处理区域内显像处理涂敷光阻剂之过程,及(E)在上述过程(A)至过程(D)之间至少1次热处理涂敷光阻剂之过程,及(F)在上述过程(A)至过程(D)之间至少1次检出在于前述光阻剂处理系统的内部处理气相中造成光阻剂解像不良的原因之硷性成分的浓度之过程,及(G)检出被含在前述光阻剂处理系统的外部环境之气相中硷性成分的浓度之过程,及(H)设定产生光阻剂解像不良的前述光阻剂处理系统之内部处理气相中硷性成分浓度的临界値之过程,及(I)设定产生光阻剂解像不良的前述光阻剂处理系统之外部环境气相中硷性成分浓度的临界値之过程,及(J)根据上述过程(F)的检出値与上述过程(H)的临界値,控制上述处理过程(A)-(E)当中至少1个的处理气相之过程,及(K)根据上述过程(G)的检出値与上述过程(I)的临界値,控制光阻剂处理系统之外部环境的气相之过程等。13.如申请专利范围第12项的基板之光阻剂处理方法,其中在上述过程(H),过程(F)的检出値高于过程(H)的临界値时,回馈控制上述处理过程(A)-(E)当中至少1个的处理气相,使其过程(F)的检出値低于过程(H)的临界値。14.如申请专利范围第12项的基板之光阻剂处理方法,其中在上述过程(J),过程(F)的检出値高于过程(H)的临界値时,显示该检出値或是发出警报的同时,使其停止存在于光阻剂处理系统的处理区域及非处理区域之全部的基板之处理动作,进而,更换用以除去被含在供给至前述处理区域内的空调空气的硷性成分之化学式过滤器,在化学式过滤器更换后,重新开始在处理区域及非处理区域其基板的处理。15.如申请专利范围第12项的基板之光阻剂处理方法,其中在上述过程(J),过程(F)的检出値高于过程(H)的临界値时,显示该检出値或是发出警报的同时,使其停止存在于光阻剂处理系统的处理区域之全部的基板之处理动作,进而,更换用以除去被含在供给至前述处理区域内的空调空气的硷性成分之化学式过滤器,在化学试过滤器更换后,重新开始在处理区域其基板的处理。16.如申请专利范围第12项的基板之光阻剂处理方法,其中在上述过程(J),过程(F)的检出値高于过程(H)的临界値时,显示该检出値或是发出警报的同时,持续进行存在于光阻剂处理系统的处理区域及非处理区域之全部的基板之处理,在使其完成前述全部基板的处理后,使其停止光阻剂处理系统的处理区域及非处理区域之处理动作,进而,更换用以除去被含在供给至前述处理区域内的空调空气的硷性成分之化学式过滤器,在化学式过滤器更换后,重新开始在处理区域及非处理区域其基板的处理。17.如申请专利范围第12项的基板之光阻剂处理方法,其中用复数个光阻剂处理系统而同时并列处理多数个基板时,在上述过程(F),分别检出各光阻剂处理系统之处理气相中的硷性成分浓度,在上述过程(J),分别显示从各检出値所得到的各光阻剂处理系统之处理气相的硷性浓度资讯,或是在各检出値当中至少1个高于前述临界値时发出警报。18.如申请专利范围第12项的基板之光阻剂处理方法,其中进而在上述过程(H),设定在上述过程(F)的检出値的不均衡容许値,在上述过程(F),所相异处所的处理气相中硷性成分浓度的检出値之差分高于前述过程(H)的容许値时,再度检出这些处理气相中的硷性成分浓度。19.如申请专利范围第12项的基板之光阻剂处理方法,其中相同光阻剂处理系统内,处理区域之硷性成分浓度的临界値与非处理区域之硷性成分浓度的临界値,使其相异。20.如申请专利范围第12项的基板之光阻剂处理方法,其中上述过程(F),为了得到处理气相中硷性成分浓度的检出値之积算资讯,因而在光阻剂涂敷过程(A)至显像处理过程(D)之间复数次检出周围处理气相中硷性成分的浓度。21.如申请专利范围第12项的基板之光阻剂处理方法,其中在上述过程(H),将被含在导入处理区域的空调空气中硷性成分的浓度之临界値设定在未满1ppb。22.如申请专利范围第12项的基板之光阻剂处理方法,其中进而在于上述光阻剂涂敷过程(B)之前,具备附着性处理基板的表面。23.一种基板之光阻剂处理装置,系为在持有所被空调的处理区域及非处理区域之光阻剂处理系统内光阻剂处理基板之装置;具备:将光阻剂涂敷在基板之光阻剂涂敷部,及加热所被曝光处理的基板之加热部,及冷却基板之冷却部,及显像基板之显像处理部,及来往所被曝光处理的基板之介面部,及在此介面部与上述光阻剂涂敷部,加热部,冷却部,显像处理的各个之间运入基板之手段,及将下流空气供给至前述非处理区域之手段,及至少被设在前述处理区域的上方,除去被含在作为导入至前述处理区域的下流空气的硷性成分之过滤器手段等,前述过滤器手段的元件系为与硷性成分反应后含有为了捕捉硷性成分浓度之酸成分;其特征为具备:检出存在于上述光阻剂涂敷部,加热部,冷却部及中继部当中至少1个的气相中硷性成分的浓度之检出手段,及设定产生光阻剂解像不良的处理气相中硷性成分浓度的临界値之手段,及根据此设定临界値与前述检出値,控制上述光阻剂涂敷部,加热部,冷却部及显像处理部当中至少1个的处理气相之手段,及从此控制手段接受信号后显示前述检出値之显示手段。24.如申请专利范围第23项的基板之光阻剂处理装置,其中前述浓度检出手段,系为将从光阻剂涂敷部,加热部,冷却部,及介面部所分别取样的样本空气使其溶解于纯水,检出被含在样本空气的硷性成分浓度之浓度分析器。25.如申请专利范围第23项的基板之光阻剂处理装置,其中前述过滤器手段,备有2段重叠的第1过滤器元件及第2过滤器元件,在供给空气通过第1过滤器元件后,通过第2过滤器元件,而被配置。26.如申请专利范围第23项的基板之光阻剂处理装置,其中前述第1及第2过滤器元件,形成为将薄层弯曲成蛇腹状之褶状构造,从空气的供给方向正视则是具有交互返复的凸部及凹部。27.如申请专利范围第26项的基板之光阻剂处理装置,其中前述第2过滤器元件的凹部,系为位于前述第1元件的凸部之下流侧;且前述第2元件的凸部则是位于前述第1元件的凹部之下流侧。28.一种基板之光阻剂处理装置,系为在持有所被空调的处理区域及非处理区域之光阻剂处理系统内光阻剂处理基本之装置,具备:将光阻剂涂敷在基板之光阻剂涂敷部,及加热所被曝光的基板之加热部,及冷却基板之冷却部,及显像基板之显像处理部,及来往所被曝光处理的基板之介面部,及在此介面部与上述光阻剂涂敷部,加热部,冷却部,显像处理部的各个之间运送基板之手段,及将下流空气供给至前述处理区域之手段,及至少被设在前述处理区域的上方,除去被含在作为导入至前述处理区域的下流空气的硷性成分之过滤器手段;其特征为具备:设定产生光阻剂解像不良的处理气相中硷性成分浓度的临界値之手段,及检出存在于上述光阻剂涂敷部,加热部,冷却部及介面部当中至少1个的气相中硷性成分的浓度之第1浓度检出手段,及检出存在于上述光阻剂处理系统的外部环境的气相中硷性成分的浓度之第2浓度检出手段,及根据以上述第1及第2浓度检出手段分别被检出的检出値与上述设定临界値,控制上述光阻剂涂敷部,加热部,冷却部及介面部当中至少1个的气相之控制手段,及从此控制手段接受信号后显示前述检出値之显示手段。29.如申请专利范围第28项的基板之光阻剂处理装置,其中前述浓度检出手段,系为将从光阻剂涂敷部,加热部,冷却部及介面部所分别取样的样本空气使其溶解于纯水,检出被含在样本空气之硷性成分的浓度之浓度分析器。30.如申请专利范国第28项的基板之光阻剂处理装置,其中前述过滤器手段,系为具备2段重叠的第1过滤器元件及第2过滤器元件,供给空气在通过第1过滤器元件后通过第2过滤器元件,而被配置。31.如申请专利范围第30项的基板之光阻剂处理装置,其中前述第1及第2过滤器元件,形成为将薄层弯曲成蛇腹状之褶状构造,具有从空气的供给方向正视则为交互返复的凸部及凹部。32.如申请专利范围第31项的基板之光阻剂处理装置,其中前述第2滤波器元件的凹部,系为位于前述第1元件的凸部之下流侧,且前述第2元件的凸部系为位于前述第1元件的凹部之下流侧。图式简单说明:第一图系为表示半导体晶圆的光阻剂涂敷/显像处理系统之概略平面图。第二图系为表示具备本发明实施形态的基板之光阻剂处理装置之光阻涂敷处理部的概要之断面方块图。第三图A系为表示本发明实施形态的基板之光阻剂处理方法之流程图。第三图B系为表示本发明实施形态的基板之光阻剂处理方法的续程之流程图。第四图系为表示其他实施形态的装置概要之图。第五图系为表示具备本发明其他实施例的基板之光阻剂处理装置的光阻剂涂敷处理部的概要之断面方块图。第六图系为表示光阻剂处理系统的外观之斜视图。第七图系为表示光阻剂处理系统之平面图。第八图系为表示第1过滤器的外壳及元件之分解斜视图。第九图系为表示第1过滤器的元件之横断面图。 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