半导体器件及其制作方法

摘要

一种半导体器件包括:电容器,设置在其上带有一集成电路的支持基底上,含有一下电极、一介电膜和一上电极第一层间绝缘膜,覆盖住电容器;第一互连极,有选择地设置在第一层间绝缘膜上,通过第一接触孔与集成电路和电容器电连接第二层间绝缘膜,由臭氧TOES形成,覆盖住第一互连极;第二互连极,有选择地设置在第二层间绝缘膜上,通过第二接触孔与第一互连极电连接;及第三层间绝缘膜,覆盖住第二互连极。

主权项

1、一种半导体器件，它包括：一个电容器，它设置在一个其上带有一个集成电路的支持基底上，并含有一个定电极、一个介电膜、和一个上电极；一个第一层间绝缘膜，它设置得覆盖住电容器； 一个第一互连极，它有选择地设置在第一层间绝缘膜上，并通过形成在第一层间绝缘膜中的第一接触孔与集成电路和电容器发生电连接；一个第二层间绝缘膜，它由臭氧TOES形成，并设置得覆盖住第一互连极；一个第二互连极，它有选择地设置在第二层间绝缘膜上，并通过形成在第二层间绝缘膜中的第二接触孔与第一互连极发生电连接；以及一个第三层间绝缘膜，它设置得覆盖住第二互连极。