| 发明名称 | 半导体存储器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 高速/大容量DRAM(动态随机存取存储器)通常每0.1秒刷新一次,这是因为漏电流使其丢失存储的信息。DRAM在切断电源时也丢失存储的信息。同时,非易失ROM(只读存储器)不能构成为高速/大容量存储器。本发明的半导体存储器件,通过利用隧道绝缘体使起存储节点作用的漏与漏电流隔绝,实现了非易失特性,而且通过使存储单元增加读出用晶体管实现了稳定高速运行。 | ||
| 申请公布号 | CN1215925A | 申请公布日期 | 1999.05.05 |
| 申请号 | CN98124682.6 | 申请日期 | 1998.10.07 |
| 申请人 | 株式会社日立制作所 | 发明人 | 角南英夫;伊藤清男;嶋田寿一;中里和郎;水田博 |
| 分类号 | H01L27/108 | 主分类号 | H01L27/108 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1．一种半导体存储器件，包括：由形成在半导体衬底上的晶体管栅极构成的存储节点；具有半导体区和阻挡绝缘体的多层结构，所述结构与所述存储节点连接；其中，利用所述阻挡绝缘体进行电荷的写入和/或擦除。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||