半导体陶瓷和使用该半导体陶瓷的半导体陶瓷元件

摘要

公开了一种半导体陶瓷,其常数B在升高温度下保持在约4000K或更高以减少电能损耗,常数B在低温下降至低于4000K以避免电阻不必要的增加;以及使用该半导体陶瓷的半导体陶瓷元件。所述半导体陶瓷由氧化钴镧作为主组分,至少一种La、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Ni、Cu和Zn的氧化物作为次要组分形成。所述半导体陶瓷元件是用该半导体陶瓷和形成于其上的电极来制造。

主权项

1．一种半导体陶瓷，包括(a)氧化钴镧作为主组分和(b)至少一种选自Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Ni、Cu和Zn的元素的氧化物。