| 主权项 |
1.一种制备具分子量分布(即Mw/Mn)大于3的聚烯烃之 方法 ,其包含在适当反应条件包括介于20℃至160℃之温 度范 围,以及1至500大气压之压力范围及触媒系统存在 下、聚 合单一烯烃或共聚合至少二种烯烃类,该触媒系统 系掺合 至少第一及第二金属错合物而制得,其中该第一金 属错合 物系一具茀基之桥联金属错合物,而该第二金属错 合物系 一未桥联之金属错合物,其中,在相同聚合条件下, 当该 第一金属错合物系用作唯一金属错合物时,会比使 用第二 金属错合物以作为唯一金属错合物时,制得较高分 子量之 聚烯烃,其中该第一金属错合物为式(Z)-R'-(Z')MeQK之 含茀基桥联金属错合物,其中R'为连结Z及Z'之有机 基团 ;Z为经取代或未取代之茀基;Z'为经取代或未取代 之茀 基、经取代或未取代之基、经取代或未取代之 环戊二烯 基、八氢茀基或四氢基,Z及Z'上之各取代基为含 1到10 个碳原子之烃基或烃氧基;Me为Ti,Zr或Hf之过渡金属 ; 各个Q为氢、含1到10个碳原子之烷基、含1到10个碳 原子 之烷氧基、含6到10个碳原子之芳基、含6到10个碳 原子之 芳氧基、含2到10个碳原子之烯基、含7到40个碳原 子之芳 烷基、含8到40个碳原子之烷芳基,或卤素;k为足以 填满 Me价数之数字,以及其中该第二金属错合物系表为 式(Z)( Z')MeQK。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中R'为 含1到10个碳 原子之烃基烷烯基。3.根据申请专利范围第1项之 方法,其中R'为二烃基亚矽 烷烯基,而各个烃基取代基含1到10个碳原子。4.根 据申请专利范围第1项之方法,其中该第一金属错 合 物系为固体,乃经由预聚合具有可聚合不饱和度之 桥联含 茀基金属错合物而得。5.根据申请专利范围第4项 之方法,其中该第一金属错合 物系为固体,乃经由预聚合5-(茀基)5-(环戊二烯基)- 1- 己烷二氯化锆及乙烯而得。6.根据申请专利范围 第1项之方法,其中该第一金属错合 物系施加于一固体不溶性无机载体上,该第一金属 错合物 ,系在载体之存在下,经由预聚合具有可聚合不饱 和度之 桥联含茀基金属错合物而得。7.根据申请专利范 围第6项之方法,其中该无机载体包含 砂石。8.根据申请专利范围第1项之方法,其中该第 一及第二金 属错合物为含锆金属错合物。9.根据申请专利范 围第8项之方法,其中该第一金属错合 物仅有一原子将茀基与桥联金属错合物之其他环 戊二烯基 型式基团桥联配位子分开。10.根据申请专利范围 第8项之方法,其中该第二金属错合 物不含茀基。11.根据申请专利范围第8项之方法, 其中该第二金属错合 物为含茀基金属错合物。12.根据申请专利范围第 11项之方法,其中该含茀基金属 错合物包含9-非环烷基茀基金属错合物,而烷基具1 到6个 碳原子。13.根据申请专利范围第8项之方法,其中 该第一金属错合 物为1,2-双-(茀基)乙烷二氯化锆、双(茀基)-二甲基 单矽 烷基二氯化锆、双-(茀基)-二苯基单矽烷基二氯化 锆、茀 基-亚甲基-环戊二烯基二氯化锆或(基)-伸乙基-( 茀基) 二氯化锆。14.根据申请专利范围第13项之方法,其 中该第二金属错 合物为环戊二烯基-茀基二氯化锆、双(正-丁基环 戊二烯 基)二氯化锆、基五甲基环戊二烯基二氯化锆、 9-甲基 茀基环戊二烯基二氯化锆或双-(9-甲基茀基)二氯 化锆。15.根据申请专利范围第1至14项中任一项之 方法,其中该 触媒系统之金属错合物仅由第一及第二金属错合 物构成。16.根据申请专利范围第1至14项中任一项 之方法,其包含 聚合至少一具式RCH=CHR之烯烃,其中各个R为相同或 不 同,且为氢或具1到14个碳原子之烷基,或其中该2个R 和 连接此二者之原子形成一个环。17.根据申请专利 范围第16项之方法,其中乙烯系均相聚 合。18.根据申请专利范围第16项之方法,其中乙烯 系与至少 一个含4到20个碳原子之-烯烃共聚合。19.根据申 请专利范围第18项之方法,其中乙烯系与至少 一个含4到10个碳原子之-烯烃共聚合。20.根据申 请专利范围第19项之方法,其中乙烯系与己烯 共聚合。21.根据申请专利范围第1至14项中任一项 之方法,其中该 第一金属错合物于并入共单体方面,比第二金属错 合物更 有效,且可制得乙烯及较高的-烯烃之共聚物,其 中该 共聚物分子量之上半部份系比下半部份合并了较 多共单体 。22.根据申请专利范围第21项之方法,其中该第一 金属错 合物在相同聚合作用条件下,与该第二金属错合物 相较, 氢所造成之聚合物分子量改变较小。23.根据申请 专利范围第1至14项中任一项之方法,其中该 聚合作用系在氢存在下进行。24.根据申请专利范 围第1至14项中任一项之方法,其中该 聚合作用系于一连续环反应器中进行。25.根据申 请专利范围第1至14项中任一项之方法,其系于 粒子型式聚合作用条件下进行。26.根据申请专利 范围第1至14项中任一项之方法,其中至 少一种该金属错合物沉积于固体上。27.根据申请 专利范围第26项之方法,其中至少一该金属 错合物系沉积于固态烷基铝氧烷上,而该铝氧烷在 聚合作 用条件下系实质上不溶于聚合媒质中。28.根据申 请专利范围第27项之方法,其中该第一金属错 合物系支撑于烷基铝氧烷上,然后再将该支撑的金 属错合 物与第二金属错合物掺合。29.根据申请专利范围 第27项之方法,其中该第二金属错 合物系承载于固体烷基铝氧烷上。30.根据申请专 利范围第28项之方法,其中该固态烷基铝 氧烷系以有机铝氧烷溶液与有机硼氧酯接触而制 备,该接 触系在足以制得适用于金属错合物中以作为共触 媒的固体 之条件下进行。31.一种适用于自烯烃或烯烃混合 物中制备具分子量分布( 即Mw/Mn)大于3的聚烯烃之触媒系统,其包含:(1)至少 第 一及第二之不同金属错合物,该第一金属错合物为 含茀基 桥联金属,而第二金属错合物为未桥联金属错合物 ;其中 当该第一金属错合物系用作唯一金属错合物时,在 相同聚 合作用条件下,会比使用第二金属错合物作为唯一 金属错 合物时,制得较高分子量之聚烯烃,及(2)用于金属 错合 物之适合共触媒,该共触媒系一有机金属化合物, 其中该 第一金属错合物为式(Z)-R'-(Z')MeQK之含茀基桥联金 属 错合物,其中R'为连结Z及Z'之有机基团;Z为经取代 或未 取代之茀基;Z'为经取代或未取代之茀基、经取代 或未取 代之基、经取代或未取代之环戊二烯基、八氢 茀基或四 氢基,Z及Z'上之各取代基为含1到10个碳原子之烃 基或 烃氧基;Me为Ti,Zr或Hf之过渡金属;各个Q为氢、含1到 10个碳原子之烷基、含1到10个碳原子之烷氧基、 含6到10 个碳原子之芳基、含6到10个碳原子之芳氧基、含2 到10个 碳原子之烯基、含7到40个碳原子之芳烷基、含8到 40个碳 原子之烷芳基,或卤素;k为足以填满Me价数之数字, 以 及其中该第二金属错合物系表为式(Z)(Z')MeQK。32. 根据申请专利范围第31项之触媒系统,其中该第一 金 属错合物在相同聚合作用条件下,在合并共单体上 ,系比 第二金属错合物更有效。33.根据申请专利范围第 32项之触媒系统,其中该第一金 属错合物在相同聚合作用条件下,氢所造成聚合物 之分子 量改变,比第二金属错合物为小。34.根据申请专利 范围第31项之触媒系统,其中该触媒系 统系藉将该第一金属错合物支撑于固态烷基铝氧 烷上,该 烷基铝氧烷系实质上在聚合作用条件下不溶于聚 合作用媒 质中,再将该受支撑之金属错合物与该第二金属错 合物掺 合。35.根据申请专利范围第34项之触媒系统,其中 该固态烷 基铝氧烷系将有机铝氧烷之溶液与有机硼氧酯接 触而制备 ,该接触系在足以制得适用于金属错合物中作为共 触媒的 固体之条件下进行。36.根据申请专利范围第31至35 项中任一项之触媒系统, 其中该触媒系统之金属错合物仅由第一及第二金 属错合物 构成且该金属错合物为含锆金属错合物。37.根据 申请专利范围第31至35项中任一项之触媒系统, 其中该第一金属错合物为1,2-双-(茀基)乙烷二氯化 锆、 双(茀基)-二甲基单矽烷基二氯化锆、双-(茀基)-二 苯基 单矽烷基二氯化锆、茀基-亚甲基-环戊二烯基工 氯化锆或 (基)-伸乙基-(茀基)二氯化锆,以及该第二金属错 合物 为环戊二烯基-茀基二氯化锆、双(正-丁基环戊二 烯基)二 氯化锆、基五甲基环戊二烯基二氯化锆、9-甲 基茀基环 戊二烯其二氯化锆或双-(9-甲基茀基)二氯化锆。38 .根据申请专利范围第31项之触媒系统,其中该第一 金 属错合物系为含茀基桥联金属错合物,而桥联基系 二烃基 单矽烷自由基,其中各烃基取代基含1到10个碳原子 。39.根据申请专利范围第31项之触媒系统,其中该 第一金 属错合物是一固体,其系在矽石之存在下,经由预 聚合5- (茀基)5-(环戊二烯基)-1-己烷二氯化锆及乙烯而得 。 |
