| 主权项 |
1.一种介电组合物,其系含(a)0.1至50重量%BaCuO2-CuO陶瓷,该陶瓷含45至55重量%BaCuO2与55至45重量%CuO;及(b)99.9至50重量%ZrO2-SnO2-TiO2陶瓷,该陶瓷含42.5至52.5重量%ZrO2.10至20重量%SnO2与33.5至43.5重量%TiO2。2.根据申请专利范围第1项之组合物,其系含(a)0.1至20重量%BaCuO2-CuO陶瓷;及(b)99.9至80重量%ZrO2-SnOz-TiO2陶瓷。3.根据申请专利范围第1项之组合物,其中陶瓷系含49.1重量%BaCuO2及50.9重量%CuO。4.根据申请专利范围第1项之组合物,其中陶瓷系含47.3重量%ZrO2.14.5重量%SnO2与38.2重量%TiO2。5.一种用以制备微波介电陶瓷元件之浆料,其系含(a)70至85重量%根据申请专利范围第1项之组合物;及(b)30至15重量%有机载体。6.根据申请专利范围第5项之浆料,其中该有机载体系含有机溶剂、有机黏结剂及有机塑化剂。7.一种制备微波介电陶瓷元件之方法,其包括(a)将根据申请专利范围第5项之浆料制成生胚;及(b)于不高于1000℃之温度致密化该生胚。8.根据申请专利范围第7项之方法,其中步骤(b)系包括脱脂与烧结二阶段。9.根据申请专利范围第8项之方法,其中该烧结阶段系于800至1000℃之温度进行15至150分钟。10.根据申请专利范围第7项之方法,其中步骤(b)系于空气或氮/氢氢氛进行。11.一种制备积层微波介电陶瓷元件之方法,其包括于陶瓷生胚薄片上网印低熔点、低阻抗之导体线路,填充通孔叠压制成积层陶瓷生胚,及致密化该积层生胚,其特征在于用以制备该陶瓷生胚薄片之陶瓷材料系含如下成分之介电组合物:(a)0.1至50重量%BaCuO2-CuO陶瓷,该陶瓷含45至55重量%BaCuO2与55至45重量%CuO;及(b)99.9至50重量%ZrO2-SnO2-TiO2陶瓷,该陶瓷含42.5至52.5重量%ZrO2、10至20重量%SnO2与33.5至43.5重量%TiO2。12.根据申请专利范围第11项之方法,其中该介电组合物系含(a)0.1至20重量%BaCuO2-CuO陶瓷;及(b)99.9至80重量%ZrO2-SnO2-TiO2陶瓷。13.根据申请专利范围第11项之方法,其中该介电组合物之陶瓷(a)系含49.1重量%BaCuO2及50.9重量%CuO。14.根据申请专利范围第11项之方法,其中该介电组合物之陶瓷(b)系含47.3重量%ZrO2,14.5重量%SnO2与38.2重量%TiO2。 |
