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经营范围
发明名称
Verfahren zur Herstellung eines bipolaren Transistors
摘要
申请公布号
DE69324098(D1)
申请公布日期
1999.04.29
申请号
DE19936024098
申请日期
1993.10.12
申请人
NCR INTERNATIONAL, INC., DAYTON, OHIO, US;HYUNDAI ELECTRONICS AMERICA, MILPITAS, CALIF., US;SYMBIOS, INC., FORT COLLINS, COL., US
发明人
ALLMAN, DERRYL DWAYNE JOHN, COLORADO SPRINGS, COLORADO 80920, US;KWONG, DIM-LEE, AUSTIN, TEXAS 78758, US
分类号
H01L21/225;H01L21/316;H01L21/331;H01L29/73;H01L29/732;(IPC1-7):H01L21/225;H01L21/22
主分类号
H01L21/225
代理机构
代理人
主权项
地址
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