| 发明名称 |
A semiconductor memory device with a parallel bit test circuit built therein |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB9905023(D0) |
申请公布日期 |
1999.04.28 |
| 申请号 |
GB19990005023 |
申请日期 |
1999.03.04 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO LIMITED |
发明人 |
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| 分类号 |
G11C11/401;G11C29/26;G11C29/34 |
主分类号 |
G11C11/401 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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