利用巨磁阻效应的磁传感器

摘要

在一支承衬底的主表面上形成一缓冲层。该缓冲层主要由从CoFe、钴和铜中选取的一种物质构成的缓冲层。在所述缓冲层之上形成一个多层GMR层,后者具有一种叠层结构,这种结构是通过磁性层和非磁性层的交互层叠而获得的。所述非磁性层由铜构成,所述磁性层和非磁性层的厚度使得可以表现出巨磁阻效应。所述缓冲层的厚度与构成所述多层GMR层的每一层的厚度不相同。

主权项

1、一种磁传感器，包括：一个具有一主表面的支承衬底；一个在所述支承衬底的主表面上、主要由从CoFe、钴和铜中选取的一种物质构成的缓冲层；和一个在所述缓冲层之上、通过磁性层和非磁性层的交互层叠而获得的多层GMR层，所述非磁性层主要由铜构成，所述磁性层和非磁性层的厚度使得可以表现出巨磁阻效应；其中，所述缓冲层的厚度与构成所述多层GMR层的每一层的厚度不相同。