| 发明名称 | 光学半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 在制造具有半导体衬底的光学半导体器件的方法中,通过使用包括源材料的选择性金属有机物汽相外延,将半导体层形成的光波导形成在所述半导体衬底上。在选择性金属有机物汽相外延中间歇地提供源材料。 | ||
| 申请公布号 | CN1213197A | 申请公布日期 | 1999.04.07 |
| 申请号 | CN98120051.6 | 申请日期 | 1998.09.28 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 阪田康隆 |
| 分类号 | H01S3/085;H01S3/18 | 主分类号 | H01S3/085 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏 |
| 主权项 | 1．一种制造光学半导体器件的方法，该器件具有半导体衬底，包括步骤：通过使用包括源材料的选择性金属有机物汽相外延，将半导体层形成的光波导形成在所述半导体衬底上，在选择性金属有机物汽相外延中间歇地提供源材料。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||