半导体器件

摘要

在存储器单元阵列的存储器单元部分11和13中,使N⁺扩散层14和栅极线15有同一线宽度且按等间隔配置,在选择器部分12中,不按等间隔的关系配置N⁺扩散层14和栅极线15,在选择器部分12中,在N⁺扩散层14的终端,预先附加配置各自对应的虚拟N⁺扩散层16a,此外,在作为对应于存储器单元部分11和13的N⁺扩散层14的空区域存在的区域中,附加配置虚拟N⁺扩散层16b。由此,按与设计图形一样地形成N⁺扩散层的抗蚀剂和图形,使存储器单元和晶体管或选择器和晶体管的特性均匀化。

主权项

1．一种半导体器件，其特征在于，在把包括作为一结构要素的单位存储器单元和阵列多个连续配置的存储器单元和阵列的占有区域内，使通过离子注入形成的任意数的掩模图形存在于该单位存储器单元和阵列之间，至少在没有存储器功能的特定区域中，配有作为半导体存储器的配置形成所述掩模图形的虚拟图形的所述存储器单元和阵列。