发明名称 真空阀
摘要 本发明是把真空阀的接点坯料制成由Cu等高导电性成分和由Cr构成的粒径在0.1~150μm范围里的颗粒至少占90容积%的耐弧性成分构成,而且使这种接点坯料的900℃时热膨胀率α<SUB>900</SUB>和50℃时的热膨胀率α<SUB>50</SUB>的差与900℃时的热膨胀率α<SUB>900</SUB>的比率[(α<SUB>900</SUB>-α<SUB>50</SUB>)×100/(α<SUB>900</SUB>)]为0.8%以上、12%以下。由此,能抑制经钎焊工序后,在Cr颗粒和Cu基体的界面上沟的生成,能使静耐压特征、接触电阻特性稳定,还能使切断循征稳定。
申请公布号 CN1213153A 申请公布日期 1999.04.07
申请号 CN98120616.6 申请日期 1998.09.01
申请人 株式会社东芝 发明人 奥富功;本间三孝;关经世;山本敦史;草野贵史;染井宏通
分类号 H01J21/00 主分类号 H01J21/00
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 王以平
主权项 1、一种真空阀,它具有由高导电性成分和耐弧性成分构成的接点坯料,其中的高导电性成分由Cu、Ag中的至少1种构成;其中的耐弧性成分是由Cr构成的,且粒径在0.1~150μm范围里的颗粒占全部颗粒的至少90容积%,其特征在于:上述接点坯料的900℃时的热膨胀率α900)和50℃时的热膨胀率α50的差与900℃时的热膨胀率的比率[(α900-α50)×100/(α900)]是0.8%~12%。
地址 日本神奈川