| 发明名称 | 一种半导体元件的生产方法 | ||
| 摘要 | 当通过MOVPE工艺在带有皱型光栅的InP基片上依次淀积上波导层的晶体层、隔离层、MQW层时,所采用的基片加热曲线使得基片温度在短时间内达到生长温度(如2分钟),此后的温度漂移稳定在±5℃之内。在铟元素开始发生质量转移前,开始生长InGaAsP波导层。 | ||
| 申请公布号 | CN1213196A | 申请公布日期 | 1999.04.07 |
| 申请号 | CN98119861.9 | 申请日期 | 1998.09.22 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 厚井大明 |
| 分类号 | H01S3/05;H01S3/085 | 主分类号 | H01S3/05 |
| 代理机构 | 中科专利代理有限责任公司 | 代理人 | 朱进桂 |
| 主权项 | 1．一种用于生产半导体元件的方法，其中包括如下步骤：采用金属有机物气相外延生长系统在形成于基片表面上的皱型光栅上形成晶体层，其特征是，在皱型光栅内的元素发生质量转移之前，开始生长晶体层。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||