发明名称 复制绕射光栅用反射性涂层
摘要 一种用以对在雷射中所使用的绕射光栅的一知复制成形制程的额外步骤在此说明。当使用强烈的雷射光时,申请者发现到,由于小量辐射会经由铝反射涂层中的微小的裂缝泄漏出,导致一复制绕射光栅的加速恶化。申请者己辨识到这问题的来源,是发生在从该主光栅中取除该复制品之时。申请者对此知制程所作的改良系,在该复制己从该主光栅被取除且清洁之后,在该复制表面上沉积一薄铝反射涂层。在一真空腔室中该涂层藉由溅镀或蒸发来进行,这涂层是不受任何接续破坏力的影响,且因此保持相对的不透光。一个典型的涂层厚度大约是在100奈米左右。
申请公布号 TW355220 申请公布日期 1999.04.01
申请号 TW087100066 申请日期 1999.02.24
申请人 史派托尼克仪器公司 发明人 汤玛斯C.布莱夏克
分类号 G02B5/18 主分类号 G02B5/18
代理机构 代理人 陈文郎 台北巿南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种形成绕射光栅之复制品的方法,该复制品用以反射紫外线,该方法包括:提供一主绕射光栅;在该主绕射光栅之一上表面上沉积一脱离层;在该脱离层上沉积一第一铝层;该第一铝层上提供一黏着层与一基体;从该主绕射光栅上取除该黏着层、该基体、及该第一铝层,该第一铝层具有一或多个暴露到该黏着层的开口;以及在该第一铝层和该等一或多个开口上沉积一第二铝层,俾阻隔任何的紫外线辐射透过该第一铝层的该等一或多个开口到达该黏着层,该第二铝层具有大于约100奈米的厚度。2.依据申请专利范围第1项所述之方法,其中,该黏着层是一环氧树脂层。3.依据申请专利范围第1项所述之方法,其中,沉积该第二铝层的该步骤包含有,溅渡铝到该第一铝层的一表面上。4.依据申请专利范围第1项所述之方法,其中,沉积该第二铝层的该步骤包含有,将铝蒸发到该第一铝层的一表面上。5.依据申请专利范围第1项所述之方法,更包含有:藉由导入一数量的氧气到一真空涂覆腔室中而让一氧化物层形成在该第二铝层上,而该腔室系容纳有,其上具有该黏着层及该第一铝层之该基体;以及在该氧化物上沉积一第三铝层。6.依据申请专利范围第1项所述之方法,更包含有:在该第二铝层上沉积一层MgF2以防止对该第二铝层造成氧化伤害。7.一种从主绕射光栅移除的复制绕射光栅,包含有:一黏着层;一第一铝层,固设在该黏着层表面,该第一铝层具有对应于在该主绕射光栅中之面之形成于其上的面,该面反射一紫外线波长的光,该第一铝层具有暴露于该黏着层的一或多个开口;以及一第二铝层,在该第一铝层与该黏着层已从该主绕射光栅被取除之后,第二铝层被沉积在该第一铝层和该一或多个开口上,俾阻隔任何的辐射透过该第一铝层上的该等一或多个开口而到达该黏着层,该第二铝层具有大于约100奈米的厚度。图式简单说明:第一图-第六图显示一主光栅与使用该接续步骤从该主光栅到形成一习知复制品之一截面图。第七图说明在最初的铝层中,在该复制品上形成一薄反射涂层,以保护在其下面的环氧树脂使其不致遭受辐射通过裂缝的泄漏。第八图说明一其中之一实施例涂层备设有多数层以增加不透过。第九图说明一其中之一实施例使用一MgF2层覆盖该铝涂层上以使其不遭受氧化物的伤害。
地址 美国