| 摘要 |
<p>Die vorliegende Erfindung schafft ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur auf einer Hauptfläche eines Substrat (1) mit einer Mehrzahl von Gräben (2, 3, 4) mit entsprechenden Grabenkronen (5a, 5b, 5c, 5d), Grabenböden (2a, 3a, 4a) und Grabenwänden (2b, 2c; 3b, 3c; 4b, 4c), welches die Schritte aufweist: Bilden von Spacern (6a, 6b; 6c; 6d; 6e, 6f) and den Grabenwänden (2b, 2c; 3b, 3c; 4b, 4c); optionelles Entfernen vorbestimmter Spacer (6c; 6d) zum Freilegen entsprechender Grabenwände (3b, 3c); Durchführen mindestens einer Implantation unter einem vorbestimmten Winkel (α', α'') zur Hauptflächennormalen zum Ausbilden entsprechender Leitungsgebiete.</p> |
