| 发明名称 |
SiC-based IGBT and MISFET with vertical channel and corresponding manufacturing method |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0904603(A2) |
申请公布日期 |
1999.03.31 |
| 申请号 |
EP19970915797 |
申请日期 |
1997.03.18 |
| 申请人 |
ABB RESEARCH LTD. |
发明人 |
HARRIS, CHRISTOPHER;KONSTANTINOV, ANDREI;JANZEN, ERIK |
| 分类号 |
H01L21/04;H01L29/24;H01L29/739;(IPC1-7):H01L29/24;H01L29/72;H01L29/78;H01L21/20 |
主分类号 |
H01L21/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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