| 发明名称 | 半导体存储装置 | ||
| 摘要 | 设置了在使扰动测试信号(TESTUBBS)和自刷新信号(/BBU)激活时使小电压值检测器(38)激活而且可使大电压值检测器(36)失效的切换电路(40)。因此,不仅在扰动测试方式时,而且在自刷新方式时,由基板电压发生电路(34)发生与小电压值检测器(38)的检测电压值相等的低的基板电压(VBB)。结果,能够防止因增设小电压值检测器(38)而导致的面积的增大。 | ||
| 申请公布号 | CN1211796A | 申请公布日期 | 1999.03.24 |
| 申请号 | CN98108468.0 | 申请日期 | 1998.05.15 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 中井润;林越正纪 |
| 分类号 | G11C11/34;H01L27/108 | 主分类号 | G11C11/34 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 程天正;叶恺东 |
| 主权项 | 1．一种半导体存储装置，具有通常方式、扰动测试方式和自刷新方式，其特征在于，包括：存储器单元(MC)，包括存取晶体管(101)；基板电压发生单元(34)，用于发生供给上述存取晶体管(101)的基板的基板电压(VBB)；第一基板电压检测单元(36)，检测从上述基板电压发生单元(34)来的基板电压(VBB)，在该检测的基板电压(VBB)的绝对值比第一阈值小时，使上述基板电压发生单元(34)激活；第二基板电压检测单元(38)，检测从上述基板电压发生单元(34)来的基板电压(VBB)，在该检测的基板电压(VBB)的绝对值比第二阈值(小于上述第一阈值)小时，就使上述基板电压发生单元(34)激活；以 激活单元(40)，在上述通常方式时，激活上述第一基板电压检测单元(36)，在上述扰动检测方式及上述自刷新方式时，使上述第二基板电压检测单元(38)激活。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||