Non volatile memory cell with high coupling capacity

摘要

Bei einer nichtflüchtigen Speicherzelle mit einem Floatinggate (5)(EEPROM) muß eine große Koppelkapazität zwischen Floatinggate (5) und Controlgate (16) bei geringem Platzbedarf erzielt werden. Dazu ist vorgesehen, daß das Dielektrikum (9) zwischen Floatinggate (5) und Controlgate (16) abschnittsweise in etwa senkrecht zur Substratoberfläche verläuft, beispielsweise indem das Controlgate (16) innerhalb eines U- oder topfförmigen Floatinggates (5) angeordnet ist. <IMAGE>