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发明名称 Interne Spannungserhöhungsschaltung einer Halbleiterspeichervorrichtung
摘要
申请公布号 DE19646672(C2) 申请公布日期 1999.03.18
申请号 DE19961046672 申请日期 1996.11.12
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD., SUWON, KYUNGKI, KR 发明人 YOON, SEI-SEUNG, SEOUL/SOUL, KR;BAE, YONG-CHEOL, SEOUL/SOUL, KR
分类号 G11C11/413;G11C5/14;G11C8/08;G11C11/407;H01L21/8242;H01L27/108;H02M3/07;(IPC1-7):G11C5/14 主分类号 G11C11/413
代理机构 代理人
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