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发明名称 Verfahren zur Herstellung einer N-Kanal-EPROM-Zelle mit einer einzigen Polysiliziumschicht
摘要
申请公布号 DE69032937(D1) 申请公布日期 1999.03.18
申请号 DE19906032937 申请日期 1990.07.24
申请人 STMICROELECTRONICS S.R.L., AGRATE BRIANZA, MAILAND/MILANO, IT 发明人 MAURELLI, ALFONSO, I-20050 SULBIATE (MILANO), IT;RIVA, CARLO, I-20052 MONZA (MILANO), IT
分类号 H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8247;H01L27/105;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L21/336;H01L21/82;G11C16/04 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
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