制造绝缘体上的硅结构的半导体器件的方法

摘要

一种制造绝缘体上硅结构的半导体器件的方法，包括下列步骤：在包括下部硅衬底、埋置氧化物层和上部硅层的晶片上形成基底氧化物层，通过离子注入法在埋置氧化物层的预定部分上形成氮氧化合物区域；形成与氮氧化合物区域相交的有源硅层使氮氧化合物区域的一部分暴露在外，并通过湿法蚀刻暴露的氮氧化合物区域形成空腔；在有源硅层的表面上形成栅极绝缘层；围绕所述有源硅层形成填充空腔的多晶硅，并除去多晶硅的预定部分以形成栅极；以及在由栅极分隔的有源硅层上形成源和漏区。

主权项

1．一种制造绝缘体上的硅结构的半导体器件的方法，包括下列步骤：在包括一下部硅衬底、一由离子注入法形成的埋置氧化物层以及一上部硅层的晶片上形成一基底氧化物层，并通过离子注入法在所述埋置氧化物层的预定部分上形成一氮氧化合物区域；形成与所述氮氧化合物区域相交的一有源硅层，使氮氧化物区域的一部分被暴露出来，并通过湿法蚀刻所述暴露的氮氧化合物区域形成一空腔；在有源硅层的表面上形成栅极绝缘层；围绕所述有源硅层形成填充所述空腔的多晶硅，并除去所述多晶硅的预定部分，以形成一栅极；以及在由所述栅极隔离的所述有源硅层上形成源和漏区。