半导体器件及其制造方法

摘要

结型场效应晶体管与双极型晶体管连接起来的复合型双极型晶体管器件,可保证良好和稳定的特性而不会导致结型场效应晶体管中较大的面积。双极型晶体管的收集极和结型场效应晶体管的源极连接起来,结型场效应晶体管的栅区、栅极接触导电层和用于漏区的漏极接触导电层由用相同的导电材料或互不相同的材料形成为各自不同的层的导电层形成,栅极接触导电层的漏极一侧的边缘部分的配置表面位于在漏极接触导电层的栅极一侧的边缘部分的配置表面之下。

主权项

1．一种包括双极型晶体管和结型场效应晶体管的半导体器件，其中将所述双极型晶体管的收集极和所述结型场效应晶体管的源极连接起来，所述双极型晶体管和所述结型场效应晶体管在同一衬底上形成，所述半导体器件的特征在于包括：栅极接触导电层，穿过绝缘层与所述结型场效应晶体管的栅区接触；以及漏极接触导电层，穿过绝缘层与漏区接触，其中，所述栅极接触导电层的漏极一侧的边缘部分的配置表面位于在所述漏极接触导电层的所述栅极一侧的边缘部分的配置表面之下。