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发明名称 4f-square memory cell having vertical floating- gate transistors with self-aligned shallow trench isolation
摘要
申请公布号 SG60174(A1) 申请公布日期 1999.02.22
申请号 SG19970004574 申请日期 1997.12.19
申请人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 发明人 BURNS, STUART, MCALLISTER, JR.;HANAEL HUSSEIN IBRAHIM;KOCON WALDEMAR WALTER;WELSER, JEFFREY, J.
分类号 H01L21/8242;H01L21/8247;H01L27/108;H01L27/115;H01L29/423;H01L29/78;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L27/105 主分类号 H01L21/8242
代理机构 代理人
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