Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit durch Graben isolierten Komponenten,申请号DE19906032571T-传众专利搜索

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发明名称	Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit durch Graben isolierten Komponenten
摘要
申请公布号	DE69032571(T2)	申请公布日期	1999.02.04
申请号	DE19906032571T	申请日期	1990.06.13
申请人	KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, KAWASAKI, KANAGAWA, JP	发明人	MIYASHITA, NAOTO, C/O INTELLECTUAL PROPERTY DIV., MINATO-KU, TOKYO 105, JP;TAKAHASHI, KOICHI, C/O INTELLECTUAL PROPERTY DIV., MINATO-KU, TOKYO 105, JP;SONOBE, HIRONORI, C/O INTELLECTUAL PROPERTYDIV., MINATO-KU, TOKYO 105, JP
分类号	H01L21/76;H01L21/316;H01L21/32;H01L21/763;(IPC1-7):H01L21/768	主分类号	H01L21/76
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