发明名称 | 交换结合膜及使用该交换结合膜的磁阻效应元件和磁头 | ||
摘要 | 交换结合膜,具有RMn合金和RMnFe合金等反强磁性膜构成的反强磁性膜(R是选自Ir、Rh、Pt、Au、Ag、Co、Pd、Ni、Cr、Ge、Ru和Cu中的至少一种)和与该反强磁性膜层叠的强磁性膜。反强磁性膜进行面内取向。而且反强磁性膜具有5nm以上的粗大晶粒直径。该反强磁性膜,例如使用氧含量为1重量%以下的合金靶进行成膜而得到。使用这样的反强磁性膜的交换结合膜具有良好的耐蚀性和热特性,而且在室温和高温区显示大的交换结合力。交换结合膜设置用于在强磁性膜中进行电流通电的电极,例如作为スピンバルブ型磁阻效应元件等使用。 | ||
申请公布号 | CN1206175A | 申请公布日期 | 1999.01.27 |
申请号 | CN98108804.X | 申请日期 | 1998.04.03 |
申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 福家广见;齐藤和浩;岩崎仁志;中村新一;佐桥政司 |
分类号 | G11B5/39 | 主分类号 | G11B5/39 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 叶恺东;王忠忠 |
主权项 | 1.交换结合膜,其特征在于,具备强磁性膜和以一般式:RMn(R是选自Ir、Rh、Pt、Au、Ag、Co、Pd、Ni、Cr、Ge、Ru、Re和Cu中的至少一种)表示的反强磁性膜,上述反强磁性膜进行面内取向,而且与上述强磁性膜进行交换结合而构成。 | ||
地址 | 日本神奈川县 |