| 主权项 |
1.一种形成DRAM电容器结构的制作方法,包括下列步骤:提供具有一闸极与一源/汲极区的一转移电晶体,及与该闸极分隔的一导线;沈积一第一导电层于该闸极、该源/汲极区与该导线上,与该闸极与该导线分隔开且与该源/汲极区连接;沈积一绝缘层于该第一导电层上并平坦化之,形成一平坦化绝缘层,其厚度需足以延展于该闸极上方的该第一导电层上;定义该平坦化绝缘层图案,以形成曝露出该第一导电层的一开口;形成一第二导电层,以填满该开口与覆盖在该平坦化绝缘层上;形成一罩幕以蚀刻该第二导电层,形成边缘位在该平坦化绝缘层上的一第二导电图案;自该第二导电图案周缘移除掉该平坦化绝缘层;定义该第一导电层图案;形成一介电层覆盖在该第一导电层与该第二导电图案曝露出的部份;以及形成一上层电容器电极。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该开口的步骤未将该开口内的该第一导电层完全曝露出,且该第二导电层与该第一导电层间,由该平坦化绝缘层一剩余的部份隔开。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二导电图案延展至该开口周边的该平坦化绝缘层表面上。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中更包括形成一具有组织结构的复晶矽层于该第二导电层表面。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该有组织结构的复晶矽层系利用一化学气相沈积法,于一基底温度约555-590℃下形成。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中移除该平坦化绝缘层系以该第一导电层为终点的一蚀刻制程来完成。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该平坦化绝缘层包括一氧化物与该第一导电层,该第一导电层包括为一掺杂的复晶矽。8.如申请专利范围第6项所述之方法,其中移除该平坦化绝缘层包括一湿式蚀刻制程。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该平坦化绝缘层系藉由沈积一未掺杂的氧化物层,再沈积一已掺杂的氧化物层所形成。10.如申请专利范围第9所述之方法,其中更包括加热该已掺杂氧化物层,使其表面至少产生再热流的现象。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中平坦化该绝缘层的步骤包括形成至少一旋涂玻璃层。12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该旋涂玻璃层沈积在该已掺杂氧化物层的再热流表面。13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该已掺杂氧化物层为一硼磷矽玻璃。14.如申请专利范围第1项所述之方法,其中定义该第一导电层图案系以蚀刻该第二导电层时的该罩幕来完成。15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该第一导层与该第二导电层包括为一复晶矽。16.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该平坦化绝缘包括为一氧化矽层。17.一种形成DRAM电容器结构的制作方法,包括下列步骤:提供一基底,该基底上形成具有一闸极与一第一、第二源/汲极区的一转移电晶体;形成与该闸极分隔开的一导线,该第一源/汲极区位于该闸极与该导线之间;形成一第一绝缘层,覆盖在该闸极、该导线与该第一、第二源/汲极区;移除部份该第一绝缘层,以曝露出该第一源/汲区的表面;沈积一第一复晶矽层,以覆盖在该第一绝缘层剩余的部份曝露出的该第一源/汲极区表面;沈积一第二绝缘层覆盖在该第一复晶矽层上并平坦化之,形成一平坦化绝缘层,其厚度需足以延展于该闸极上方与该导线上方的该第一复晶矽层上;定义该平坦化绝缘层图案,形成至少曝露部份该第一复晶层的一开口;形成一第二复晶矽层以填满该开口与覆盖在该平坦化绝缘层上;形成一罩幕盖在该第二复晶矽层上,该罩幕的边缘位于该闸极与该导线上方,利用该罩幕蚀刻该第二复晶矽层,形成边缘位在该平坦化绝缘层上的一第二复晶矽图案;移除该第二复晶矽图案周围之该平坦化绝缘层;以该罩幕定义该第一复晶矽图案;形成一介电层覆盖在该第一复晶矽层与该第二复晶矽图案曝露出的部份;以及形成一上层电容器电极。18.如申请专利范围第17项所述之方法,其中形成该开口的步骤未将该开口内的该第一复晶矽完全曝露出,且该第二复晶矽与该第一复晶矽间,由该平坦化绝缘层一剩余的部份隔开。19.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该平坦化绝缘层包含一氧化矽层。20.如申请专利范围第17项所述之方法,其中以该第二源/汲极区上方的该第一绝缘层部分为蚀刻终点,定义该第一复晶矽的图案。图式简单说明:第一图-第十一图绘示本发明较佳实施例中DRAM记忆胞形成的流程剖面图。 |
