形成动态随机存取存储器的方法

摘要

一种形成动态随机存取存储器的方法,包括:在一基底上形成一转移晶体管,转移晶体管包括一位于基底的栅氧化层上方的栅极以及栅极下的通道区两旁的一第一与一第二源极/漏极区;暴露出第一与第二源极/漏极区;淀积一氮化硅层,然后淀积一厚氧化硅层;对厚氧化硅层平坦化;形成一开口于第一源极/漏极区上方;在第一源极/漏极区上方的接点形成一电容电极;以及形成一位元线的接点,利用本发明的制造方法能提高其实用价值。

主权项

1．一种形成动态随机存取存储器的方法，包括下列步骤：a．提供一基底，其中该基底具有元件隔离结构，且在该元件隔离结构中具有有源元件区。b．在该基底的有源元件区上方，提供一介电层；c．在该有源元件区提供一第一与一第二转移晶体管，该第一转移晶体管包括一位于该介电层上方的第一栅电极与形成于该基底上的一第一与一第二源极／漏极区，该第二转移晶体管包括一位于该介电层上方的第二栅电极与形成于该基底上的该第二与一第三源极／漏极区，且该第一与第二转移晶体管共同拥有该第二源极／漏极区。d．在该第一与第二栅电极以及该第一、第二与第三源极／漏极区的上方形成一蚀刻阻挡层；e．在该蚀刻阻挡层上方，形成一介电层，该介电层与该蚀刻阻挡层不同；f．蚀刻去除该第二源极／漏极区上方的介电层，直至该蚀刻阻挡层为止，然后更继续蚀刻该蚀刻阻挡层直到与该第二源极／漏极区形成一位元线的接点；以及g．蚀刻去除该第三源极／漏极区上方的介电层直至该蚀刻阻挡层为止，然后更继续蚀刻该蚀刻阻挡层直到在该第三源极／漏极区形成一电荷储存电容，该电荷储存电容以一电极与该第三源极／漏极区连接。