| 摘要 |
<P>L'invention consiste à former une couche tampon (22) de tellurure de cadmium et de zinc sur un substrat (20) à base de tellurure de cadmium, former sur la couche tampon des couches alternées de tellurure de mercure et de tellurure de cadmium et de zinc (24, 26, 28, 30; 32, 34, 36, 38), la couche (22) et les couches (32, 34, 36, 38) ayant une fraction molaire de zinc servant à établir dans ces couches une constante de réseau sensiblement similaire à la constante de réseau des couches (24, 26, 28, 30), et soumettre la structure à un recuit de diffusion pour produire un alliage homogène de tellurure de mercure, cadmium et zinc.Application à la fabrication de matériaux semi-conducteurs absorbant le rayonnement infrarouge.</P> |
