DISPOSITIF A SEMICONDUCTEURS AVEC UNE STRUCTURE D'ISOLATION ET PROCEDE DE FABRICATION

摘要

Dans la fabrication d'un dispositif à semiconducteurs comportant une structure d'isolation entre éléments par blindage par effet de champ, on forme une pellicule de nitrure supérieure (15) sur la surface supérieure d'une électrode de blindage par effet de champ (5). La surface supérieure de l'électrode de blindage par effet de champ (5) n'est donc pas mise à nu, même lorsqu'une pellicule d'oxyde supérieure (41) est partiellement enlevée au cours du processus de fabrication. On peut ainsi obtenir un dispositif à semiconducteurs qui ne présente pas une dégradation des caractéristiques de fonctionnement et de la fiabilité, du fait de l'existence d'une couche diélectrique de blindage par effet de champ.