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<p>Es wird ein bipolarer Schalttransistor beschrieben, der aus einer hoch dotierten Emitterzone (4) mit n-Leitfähigkeit, einer darauf folgenden Basiszone (3) mit p-Leitfähigkeit, einer darauf folgenden schwach dotierten Kollektorzone (2) mit n-Leitfähigkeit und einer sich daran anschließenden hoch dotierten Kollektorzone (1) mit n-Leitfähigkeit besteht. Dabei ist die Lebensdauer der Minoritätsladungsträger in der Basis (3) und dem Bereich der schwach dotierten Kollektorzone (2) bis nahe an den n-n+-Übergang heran sehr hoch. Um einen Schalttransistor für höhere Sperrspannungen zu schaffen, der eine starke Sättigung von sich aus verhindert und der bei Abschalten aus einem Zustand mit kleinem Kollektorstrom oder hohem Basisstrom nur geringe Verluste aufweist, ist eine Rekombinationsschicht (5) innerhalb der schwach dotierten Kollektorzone (2) an der Grenzschicht zur hoch dotierten Kollektorzone (1) angeordnet, in der im Vergleich zur schwach dotierten Kollektorzone (2) die Lebensdauer der Minoritätsladungsträger um mindestens etwa zwei Zehnerpotenzen kleiner ist.</p> |
