| 主权项 |
1.一种用于最后抛光矽晶圆之水溶液组成物包含 有:水, 该组成物重量百分之0.2至0.5间的次微米矽粒子,约 100 至1000ppm的盐类浓度,一种足以使该组成物达到pH 8 至 11之效果的胺化合物及一种浓度约20至500 ppm的高 分子 电解质试剂,在其中该组成物具有低于1 ppm的钠与 钾, 且铁,镍与铜之含量每种均低于0.1 ppm,所有的ppm表 示 组成物重量的百万分之一。2.如申请专利范围第1 项之组成物,在其中该盐类包含有 一种铵类阳离子及选自碳酸盐,硝酸盐,醋酸盐或 柠檬酸 盐群的阴离子。3.如申请专利范围第1项之组成物, 在其中该盐类包含有 一种烷基取代的铵类阳离子及一种选自碳酸盐、 硝酸盐、 醋酸盐及柠檬酸盐群的阴离子。4.如申请专利范 围第1项之组成物,在其中该盐类包含有 一种硷土族阳离子及一种选自碳酸盐、硝酸盐、 醋酸盐及 柠檬酸盐群的阴离子。5.如申请专利范围第1项之 组成物,在其中该胺化合物是 一种初级胺、二级胺、三级胺、四级胺、杂环胺 或任何上 述混合物。6.如申请专利范围第1项之组成物,在其 中该胺化合物是 乙醇胺、胺基乙醇胺、胍、乙二胺或任何上述混 合物。7.如申请专利范围第1项之组成物,在其中该 高分子电解 质分散剂为聚乙烯醇。8.如申请专利范围第1项之 组成物,在其中该高分子电解 质分散剂为聚丙烯酸。9.如申请专利范围第1项之 组成物,在其中该高分子电解 质分散剂为聚丙烯醯胺。10.如申请专利范围第1项 之组成物,在其中该高分子电解 质分散剂为聚乙烯氧化物。11.如申请专利范围第1 项之组成物,包含有:约0.25%的 矽,约500 ppm的碳酸铵,约500 ppm的胺基乙醇胺及约87 ppm的聚乙烯醇。12.如申请专利范围第1项之组成物 ,包含有:约0.45%的 矽,约500 ppm的碳酸铵,约500 ppm的胺基乙醇胺及约 150 ppm的聚乙烯醇。13.一种用于最后抛光矽晶圆的 方法,包含有提供最后抛 光所需的矽晶圆及利用一种抛光该矽晶圆之水溶 液抛光泥 浆其包含有水,该泥浆重量百分之0.2至0.5间的次微 米矽 粒子,一种约100至1000 ppm浓度的盐类,一种足以使该 泥浆达到pH 8至11之效果的胺化合物,及一种浓度约 20至 500 ppm的高分子电解质试剂,在其中该泥浆具有低 于1 ppm的钠与钾,且铁、镍及铜之含量每种均低于0.1 ppm, 所有的ppm表示该泥浆重量的百万分之一。14.如申 请专利范围第13项之方法,在其中该盐类包含一 种铵类阳离子及一种选自碳酸盐、硝酸盐、醋酸 盐或柠檬 酸盐群的阴离子。15.如申请专利范围第13项之方 法,在其中该盐类包含一 种烷基取代铵类阳离子及一种选自碳醯盐、硝酸 盐、醋酸 盐或柠檬酸盐群的阴离子。16.如申请专利范围第 13项之方法,在其中该盐类包含有 一种硷土族阳离子及一种选自碳酸盐、硝酸盐、 醋酸盐或 柠檬酸盐群之阴离子。17.如申请专利范围第13项 之方法,在其中该胺化合物是 一种初级胺、二级胺、三级胺、四级胺、杂环胺 或任何上 述混合物。18.如申请专利范围第13项之方法,在其 中该胺化合物是 乙醇胺、胺基乙醇胺、胍、乙二胺或任何上述混 合物。19.如申请专利范围第13项之方法,在其中该 高分子电解 质分散剂为聚乙烯醇。20.如申请专利范围第13项 之方法,在其中该高分子电解 质分散剂是聚丙烯酸。21.如申请专利范围第13项 之方法,在其中该高分子电解 质分散剂是聚丙烯醯胺。22.如申请专利范围第13 项之方法,在其中该高分子电解 质分散剂是聚乙烯氧化物。23.如申请专利范围第 13项之方法,在其中该泥浆起始于 浓缩型式,其具有该起始浓缩型式重量的1至50%之 起始矽 粒子浓度,该方法进一步包含有使用前以水稀释该 浓缩型 式以形成一种稀释的泥浆,其具有该稀释泥浆重量 百分之 0.2至0.5的矽粒子浓度。24.如申请专利范围第23项 之方法,在其中该稀释泥浆包 含有约0.25%的矽,约500 ppm的碳酸铵,约500 ppm稀释 的胺基乙醇胺及约87 ppm的聚乙烯醇,所有均以稀释 泥浆 之重量为基准并以水为平衡。25.如申请专利范围 第23项之方法,在其中该稀释泥浆之 组成物包含有约0.4%的矽,约500 ppm的碳酸铵,约500 ppm的胺基乙醇胺及约150 ppm的聚乙烯醇,所有均以 该稀 释泥浆之重量为基准并以水为平衡。 |
