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发明名称
Control of si02 etch rate using dilute chemical etchants in the presence of a megasonic field
摘要
申请公布号
SG55386(A1)
申请公布日期
1998.12.21
申请号
SG19970003613
申请日期
1997.09.29
申请人
MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC.
发明人
SHIVE LARRY WAYNE;MALIK IGOR JAN
分类号
C23F1/32;H01L21/306;H01L21/311;(IPC1-7):B08B3/12
主分类号
C23F1/32
代理机构
代理人
主权项
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