| 发明名称 |
SURFACE-TREATING METHOD FOR SIC SINGLE CRYSTAL |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH10335290(A) |
申请公布日期 |
1998.12.18 |
| 申请号 |
JP19970139680 |
申请日期 |
1997.05.29 |
| 申请人 |
CENTRAL RES INST OF ELECTRIC POWER IND |
发明人 |
TSUCHIDA SHUICHI;KAMATA ISAO;IZUMI KUNIKAZU |
| 分类号 |
H01L21/304;C30B29/36;C30B33/02;(IPC1-7):H01L21/304 |
主分类号 |
H01L21/304 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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