发明名称 Verfahren zum Wachstum von Verbundhalbleitern auf einer Siliziumscheibe
摘要
申请公布号 DE69318271(T2) 申请公布日期 1998.12.17
申请号 DE1993618271T 申请日期 1993.12.19
申请人 NIPPON STEEL CORP., TOKIO/TOKYO, JP 发明人 TACHIKAWA, AKIYOSHI, C/O ELECTRONICS KENKYUSHO, SAGAMIHARA-SHI, JP;JONO, AIJI, C/O ELECTRONICS KENKYUSHO, SAGAMIHARA-SHI, JP;AIGO, TAKASHI, C/O ELECTRONICS KENKYUSHO, SAGAMIHARA-SHI, JP;MORITANI, AKIHIRO, C/O ELECTRONICS KENKYUSHO, SAGAMIHARA-SHI, JP
分类号 H01L21/20;(IPC1-7):H01L21/20 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
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