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1.一种用来制造场射电子源之方法,它具有一层内含钻石、用来做为电子射极用的覆层,以及一个与电子射极以特定距离来装置的阳极,其特征为,一层内含钻石、用来做为电子射极之用的金属散射层,它是利用无电流法、及/或电解法,而由一个内含钻石粒子、以及金属的镀槽,来镀在一个基底上镀成的。2.根据申请专利范围第1项所述的方法,其特征为,这个镀槽是添加了一种内含钻石粒子的粉末而制成的。3.根据申请专利范围第1项所述的方法,其特征为,在制作镀槽之前,至少有一部份的钻石粒子要先掺合一些杂质进去。4.根据申请专利范围第3项所述的方法,其特征为,这些钻石粒子是以硼及/或磷来加以掺合的。5.根据申请专利范围第1项所述的方法,其特征为,至少有一部份的钻石粒子,是利用高压合成法所制成的。6.根据申请专利范围第1项所述的方法,其特征为,至少有一部份的钻石粒子,是利用爆炸合成法所制成的。7.根据申请专利范围第1项所述的方法,其特征为,其基底中至少有一部份是由玻璃所制成的。8.根据申请专利范围第1项所述的方法,其特征为,在这层内含钻石的金属散射层被镀到基底上去之前,有一层金属结构已经先被置上去了。9.根据申请专利范围第8项所述的方法,其特征为,这层内含钻石的金属散射层,只会在其金属结构上面,以无电流法、或是电解法被镀出来而已。10.根据申请专利范围第1项所述的方法,其特征为,含有金属的镀槽,是以金属镍、铜、铬、及/或其它半贵重或贵重金属所制成的。11.根据申请专利范围第1项所述的方法,其特征为,内含钻石粒子的金属散射层,是以一个在0.1至10m之间的镀厚,来镀上去的。12.根据申请专利范围第1项所述的方法,其特征为,所镀上去这层内含钻石粒子的金属散射层,它将从表面来加以腐蚀,及/或是利用阳极来将它氧化。13.根据申请专利范围第1项所述的方法,其特征为,所镀上去这层内含钻石粒子的金属散射层,它的表面将进行一个电浆蚀刻程序、及/或一个溅射的程序。14.根据申请专利范围第1项所述的方法,其特征为,所镀上去这层内含钻石粒子的金属散射层,它将植入离子。15.根据申请专利范围第1项所述的方法,其特征为,所镀上去这层内含钻石钻粒子的金属散射层,它将做热处理。16.一种场射电子源,它具有一层内含钻石、用来做为电子射极之用的覆层,以及一个距电子射极有一以预先设定好的距离来装置的阳极,其特征为,这层内含钻石的覆层,是由一层内含钻石粒子的金属散射层所构成的。17.根据申请专利范围第16项所述的场射电子源,其特征为,至少有一部份的钻石粒子,是有掺合杂质的。18.根据申请专利范围第17项所述的场射电子源,其特征为,它的钻石粒子是以硼、及/或磷来加以掺合的。19.根据申请专利范围第16项所述的场射电子源,其特征为,它的钻石粒子具有一个0.5至10m的大小。20.根据申请专利范围第16项所述的场射电子源,其特征为,它的钻石粒子具有一个2至500nm的大小。21.根据申请专利范围第16项所述的场射电子源,其特征为,至少有一部份的基底是玻璃制的。22.根据申请专利范围第16项所述的场射电子源,其特征为,基底上设有金属的结构。23.根据申请专利范围第22项所述的场射电子源,其特征为,这层内含钻石的金属散射层,只会在其金属结构上面被镀出来而已。24.根据申请专利范围第16项所述的场射电子源,其特征为,这层内含钻石的金属散射层之金属阵列,含有金属镍、铜、铬、及/或其它半贵重或是贵重的金属。25.根据申请专利范围第16项所述的场射电子源,其特征为,内含钻石粒子的金属散射层,具有一个0.1至10m之间的厚度。26.根据申请专利范围第16项所述的场射电子源,其特征为,这层内含钻石粒子的金属散射层,它的表面有被腐蚀过,及/或是有利用阳极将它氧化过。27.根据申请专利范围第16项所述的场射电子源,共特征为,所镀上去这层内含钻石粒子的金属散射层,它的表面有利用电浆来将它腐蚀过,及/或是有利用溅射程序来加以处理过。28.根据申请专利范围第16项所述的场射电子源,其特征为,所镀上去这层内含钻石粒子的金属散射层,有植入离子。29.根据申请专利范围第16项所述的场射电子源,其特征为,这层内含钻石的金属散射层,里面含有植入的石墨。30.根据申请专利范围第16项所述的场射电子源,其特征为,所镀上去这层内含钻石粒子的金属散射层,有被热处理过。31.根据申请专利范围第16项所述的场射电子源,其可应用到真空微电子上。32.根据申请专利范围第16项所述的场射电子源,可以应用来制造萤光幕。图式简单说明:第一图:显示一个以俗称史宾特阴极为基础的传统式场射显示器。第二图:显示本发明的场射电子源之放射层结构的截面图。 |
