| 发明名称 |
FORMATION METHOD OF METAL LAYER IN SEMICONDUCTOR DEVICE |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
KR0148325(B1) |
申请公布日期 |
1998.12.01 |
| 申请号 |
KR19950004447 |
申请日期 |
1995.03.04 |
| 申请人 |
HYUNDAI ELECTRONICS IND.CO.,LTD |
发明人 |
CHO, KYUNG-SOO |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/285;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/52;H01L23/522;(IPC1-7):H01L21/285 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
