发明名称 |
HIGH TEMPERATURE PREVENTION CIRCUIT WITH PARALLEL GROUNDING |
摘要 |
|
申请公布号 |
KR0163892(B1) |
申请公布日期 |
1998.12.01 |
申请号 |
KR19950021201 |
申请日期 |
1995.07.19 |
申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO.,LTD |
发明人 |
CHOE, NAK-SIK |
分类号 |
H01L27/04;(IPC1-7):H01L27/04 |
主分类号 |
H01L27/04 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|