| 发明名称 |
METHOD OF FORMING GATE OXIDE OF SEMICONDUCTOR DEVICE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR0150104(B1) |
申请公布日期 |
1998.12.01 |
| 申请号 |
KR19950019394 |
申请日期 |
1995.07.04 |
| 申请人 |
HYUNDAI ELECTRONICS IND.CO.,LTD |
发明人 |
HAN, SUNG-OH |
| 分类号 |
H01L21/31;H01L21/336;H01L27/092;(IPC1-7):H01L21/336 |
主分类号 |
H01L21/31 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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