发明名称 SOI WAFER FABRICATING METHOD USING DOUBLE STOPPER
摘要
申请公布号 KR0150998(B1) 申请公布日期 1998.12.01
申请号 KR19940027703 申请日期 1994.10.27
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO.,LTD 发明人 LEE, BYUNG-HUN
分类号 H01L21/20;(IPC1-7):H01L21/20 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
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