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发明名称
SOI WAFER FABRICATING METHOD USING DOUBLE STOPPER
摘要
申请公布号
KR0150998(B1)
申请公布日期
1998.12.01
申请号
KR19940027703
申请日期
1994.10.27
申请人
SAMSUNG ELECTRONICS CO.,LTD
发明人
LEE, BYUNG-HUN
分类号
H01L21/20;(IPC1-7):H01L21/20
主分类号
H01L21/20
代理机构
代理人
主权项
地址
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